殷桂琴
,
袁强华
材料导报
详细介绍了目前采用旋转涂覆(Spin-on deposition)法制备硅基多孔低k薄膜材料(MSQ及HSD)的方法及技术,其次介绍了用FTIR对低介电MSQ及HSQ薄膜的结构的分析,最后指出了等离子体处理对薄膜表面改性研究的主要进展以及存在的问题和今后的研究方向.
关键词:
低k多孔材料
,
SOD沉积技术
,
等离子体处理
李媛媛
,
殷桂琴
,
穆保霞
,
张刚台
,
戴康
,
沈异凡
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.06.007
利用单模半导体激光器激发Rb原子到5P3/2态,将Rb空心阴极灯发射的6D5/2→5P3/2的629.8 nm线作为吸收线.测量5P3/2态原子密度,由测得的激发态原子密度结合荧光强度比,得到能量合并过程Rb(5P3/2)+Rb(5P3/2)→Rb(5D)+Rb(5S)的碰撞截面为(5.0士1.9)×10-14cm2.利用荧光法测量了Rb52P精细结构碰撞转移截面.直接荧光是由5P3/2态发射的,敏化荧光是由精细结构碰撞转移和碰撞能量合并产生的.由相对荧光强度得到了转移截面σ(5P3/2→5P1/2)=(3.0土0.9)×10-15cm2.碰撞能量合并速率系数比精细结构混合率大一个数量级,与其它实验结果进行了比较.
关键词:
光谱学
,
碰撞转移
,
荧光
,
Rb
