殷景华
,
蔡伟
,
王培林
,
郑玉峰
,
王中
,
李美成
,
赵连城
功能材料
采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si+PtSi→PtSi→Si或Pt+PtzSi+PtSi→PtSi→Si.退火温度高,薄膜中晶粒尺寸大,表面粗糙.
关键词:
退火温度
,
PrSi/Si异质结
,
硅化物
,
薄膜
,
表面形貌
李美成
,
殷景华
,
蔡伟
,
赵连城
,
陈学康
,
杨建平
,
王菁
功能材料
PtSi红外探测器是一种重要的光电器件,在军事和民用方面均起着非常重要的作用.高质量硅基PtSi薄膜的制备是高性能器件研制的基础.本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备PtSi薄膜的方法.并评述了PtSi红外探测器的最新应用研究进展及发展趋势.
关键词:
红外探测器
,
纳米薄膜
,
脉冲激光沉积
,
激光分子束外延
陈广文
,
殷景华
,
薛占林
,
桂太龙
材料研究学报
用溶胶—凝胶方法,采用电泳工艺在Al基片上制成Al2O3薄膜.膜物质主要是非晶态,但含有少量微晶.随着热处理温度的升高,进晶含量增加,这种湿敏膜在中,高湿区有良好的感湿性能.
关键词:
溶胶—凝胶法
,
electrophore technique
,
Al_2O_3 film
,
null
李广
,
殷景华
,
刘晓旭
,
冯宇
,
田付强
,
雷清泉
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2011.06.006
采用原位聚合法制备了聚酰亚胺/氮化铝(PI/AlN)纳米复合薄膜,用小角散射(SAXS)、扫描电镜(SEM)对薄膜进行表征,研究了不同纳米掺杂量对材料电阻率、介电常数(ε)和介质损耗因数(tanδ)的影响.结果表明,随着纳米AlN含量的增加,分形结构由质量分形转变为表面分形,当AlN含量为1％时,复合薄膜的介电常数达到最低值,电阻率提高了一个数量级；介质损耗在低频范围内明显增加；AlN的掺杂提高了纳米复合薄膜的绝缘性能.
关键词:
聚酰亚胺
,
氮化铝
,
小角散射
,
介电常数
,
体积电阻率
袁鹏亮
,
殷景华
,
李国华
,
贾利芳
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2008.04.011
为研究纳米填加剂(Al2O3)对PI复合薄膜击穿性能和微观形貌的影响,对0、5%、10%和20%4种不同质量分数的纳米Al2O3的PI/Al2O3复合薄膜击穿特性进行了测试,并借助扫描电镜对PI/Al2O3复合薄膜击穿孔区形貌进行特征分析,进一步利用积分法计算得到了击穿孔区的有效面积.结果表明:掺杂5%含量的Al2O3的PI复合薄膜击穿场强达到最佳.得出不同组分Al2O3的PI复合薄膜击穿孔有效面积的大小关系是:S20%＜S5%＜S10%＜S0.可见,引入纳米Al2O3颗粒可以使复合薄膜击穿孔的有效面积减小,说明掺杂纳米Al2O3对复合薄膜的击穿孔的有效面积大小是有显著影响的.
关键词:
纳米颗粒.聚酰亚胺
,
薄膜
,
击穿孔
,
微结构
殷景华
,
蔡伟
,
王明光
,
郑玉峰
,
赵连城
功能材料
在p-Si衬底上,分别淀积5 nm Au膜和5nmPt膜,形成Pt/Au/p-Si结构,500℃退火后形成硅化物薄膜.采用X射线光电子谱和X射线衍射谱研究薄膜成分和相分布,利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察薄膜表面形貌和界面结构.测试结果表明,薄膜中含有PtSi相和Au相,表面较平坦,PtSi相形成层状结构,Au原子聚集成岛状结构.
关键词:
Pt/Au/p-Si
,
薄膜
,
硅化物分布
,
表面和界面结构
殷景华
,
范勇
,
王暄
,
林家齐
,
雷清泉
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.02.026
无机纳米杂化聚酰亚胺(PI)薄膜具有优良的耐电晕特性,通过观察击穿孔区形貌研究薄膜击穿机理及纳米颗粒的作用,利用SEM观察阶梯式升压强电场击穿无机纳米杂化PI薄膜孔区形貌,能谱仪测试孔区附近元素分布.研究表明:杂化薄膜严重破坏区域仅局限在孔洞附近10～50 μm范围内,随半径增加,其表面由颗粒大小不均匀、表面粗糙不平,逐渐过渡到颗粒均匀的微观结构状态;Cu含量逐渐减少,Au含量逐渐增加,正常区域电极表面没有损伤;氧化铝纳米颗粒在杂化薄膜中起到阻止电极破坏的作用,薄膜击穿机理属热击穿类型.
关键词:
纳米颗粒,聚酰亚胺
,
薄膜
,
击穿孔
,
微结构
殷景华
,
杨红军
,
梅金硕
,
雷清泉
高分子材料科学与工程
利用Materials Studio 3.0分别模拟了聚酰亚胺(PI)/α-Al2O3和聚酰亚胺(PI)/SiO2材料体系的表面结合能,结果表明,在(012)晶面,6.0 nm×4.0 nm范围内,随着纳米颗粒超晶格尺寸增大,PI/α-Al2O3结合能增加,PI/SiO2体系结合能变小;悬挂在α-Al2O3和SiO2(012)晶面上的H原子对体系总能量及结合能有明显影响,α-Al2O3和SiO2纳米颗粒掺杂主要通过分子间作用力与PI相复合.
关键词:
分子模拟
,
结合能
,
聚酰亚胺
,
α-氧化铝
,
氧化硅
殷景华
,
蔡伟
,
李美成
,
赵连城
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃～600℃退火.原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退火温度的增加,平坦的薄膜表面变得粗糙,其相分布由Pt-Pt2Si-PtSi变为Pt+Pt2Si+PtSi-PtSi.
关键词:
PtSi
,
薄膜
,
表面形貌
,
组织结构
殷景华
,
郑馥
,
李雪
,
赵连城
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.06.016
利用固体与分子经验电子理论(EET理论)计算了PtSi的价电子结构,并利用X射线光电子谱(XPS)分析了PtSi薄膜中阶电子的能谱.结果表明,Pt和Si化合形成PtSi以后,Si和Pt的杂阶均向较低杂阶方向移动,化合物中含有较高密度的晶格电子,使PtSi具有良好的导电性.X射线光电子谱测试结果表明,PtSi中价电子的能谱向高结合能方向移动,Pt的5d电子是化合物中重要的成键电子.
关键词:
PtSi
,
价电子结构
,
导电性
