张昕
,
廖晶莹
,
谢建军
,
沈炳孚
,
邵培发
,
李长泉
,
袁辉
,
殷之文
无机材料学报
Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.
关键词:
钨酸铅
,
doping
,
radiation hardness
,
scintillation
王评初
,
孙士文
,
潘晓明
,
朱丽慧
,
李东林
,
温保松
,
黄清伟
,
殷之文
无机材料学报
用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0.70Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.30PbTiO3高性能定向压电陶瓷.该陶瓷[112]方向的取向度约为35％,准静态压电常数d33约为1500-1600pC/N,耦合系数kt～0.51,k33～0.82,22kV/cm时的场致应变约为0.23％.
关键词:
定向陶瓷
,
Pb（Mg1/3Nb2/3）O3-PbTiO3
,
dielectric
张昕
,
廖晶莹
,
谢建军
,
沈炳孚
,
邵培发
,
倪海洪
,
李长泉
,
殷之文
无机材料学报
部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额升高现象只存在于含Y3+离子的PWO晶体中,并且这类晶体往往存在420nm吸收带;在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期,使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象,即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体.结合测试数据,本文讨论了该现象的起因和机理,提出了掺杂剂的选择原则.
关键词:
钨酸铅
,
doping
,
light yield
,
melt
,
radiation hardness
谢建军
,
袁晖
,
杨培志
,
沈炳孚
,
曹顿华
,
廖晶莹
,
顾牡
,
殷之文
无机材料学报
报道了用改进的Bridgmam法生长的大尺寸PbWO4:(Sb,Y)晶体的光谱特性的表征研究.通过对依次切自大尺寸PbWO4:(Sb,Y)毛坯晶体的籽晶端、中间部位和顶端三块晶体(～23mm×23mm×20mm)的透射光谱、X射线激发发射光谱、紫外激发与发射光谱、发光衰减寿命、光产额和辐照损伤等方面的光谱性能测试,结果表明,Sb、Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的光谱性能,使晶体在短波330-420nm范围的透过率明显提高,光产额增加,抗辐照能力增强.但从籽晶端到顶端的性能存在一定的差异,说明大尺寸的PbWO4:(Sb,Y)晶体的均匀性还有待提高.
关键词:
改进的Bridgman法
,
PbWO4:（Sb
,
Y）
,
spectroscopic properties
孙大志
,
赵梅瑜
,
罗豪甦
,
瞿翠凤
,
金绮华
,
姚春华
,
林盛卫
,
殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.030
本文研究了准同型相界处铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT)陶瓷材料的介电压电性能，合适的组份和烧结，可使PMNT陶瓷材料具有较好的压电性能，d33达540pC/N，kt达0.50以上. 观察了不同烧结工艺下陶瓷材料的微观结构，烧结时间过长不仅使晶粒尺寸变大，亦可造成晶粒快速生长. 对化学组成和微观结构与压电性能之间的关系进行了讨论.
关键词:
PMNT
,
压电
,
介电
,
微观形貌
张昕
,
廖晶莹
,
谢建军
,
沈炳孚
,
邵培发
,
李长泉
,
袁辉
,
殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.05.005
Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数＜1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:pwO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:pwO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Ya+:pWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.
关键词:
钨酸铅
,
掺杂
,
辐照硬度
,
闪烁性能
张昕
,
廖晶莹
,
谢建军
,
沈炳孚
,
邵培发
,
倪海洪
,
李长泉
,
殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.005
部分PWO:Y3+晶体辐照后光产额升高,并且辐照硬度对退火温度较敏感.本文选取未掺杂及Sb、La3+、Y3+单掺和La3+/Sb、Y3+/Sb双掺的PWO样品进行对照实验,同时选取代表性晶体的顶部急冷料做了X射线荧光主量分析.结果发现:低剂量辐照后光产额升高现象只存在于含Y3+离子的PWO晶体中,并且这类晶体往往存在420nm吸收带;在改进Bridgeman法生长PWO晶体的后期,使熔体保持一定程度的负电性将有利于抑制该现象,即可有效地抑制同样是负电性的间隙氧进入晶体.结合测试数据,本文讨论了该现象的起因和机理,提出了掺杂剂的选择原则.
关键词:
钨酸铅
,
掺杂
,
光产额
,
熔体
,
辐照硬度
王评初
,
孙士文
,
潘晓明
,
朱丽慧
,
李东林
,
温保松
,
黄清伟
,
殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.038
用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0.70Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.30PbTiO3高性能定向压电陶瓷.该陶瓷[112]方向的取向度约为35%, 准静态压电常数d33约为1500～1600 pC/N, 耦合系数kt～0.51, k33～0.82, 22kV/cm时的场致应变约为0.23%.
关键词:
定向陶瓷
,
PMN-PT
,
介电和压电性能
谢建军
,
袁晖
,
杨培志
,
沈炳孚
,
曹顿华
,
廖晶莹
,
顾牡
,
殷之文
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.05.012
报道了用改进的Bridgmam法生长的大尺寸PbWO4:(Sb,Y)晶体的光谱特性的表征研究.通过对依次切自大尺寸PbWO4:(Sb,Y)毛坯晶体的籽晶端、中间部位和顶端三块晶体(～23mm×23mm×20mm)的透射光谱、X射线激发发射光谱、紫外激发与发射光谱、发光衰减寿命、光产额和辐照损伤等方面的光谱性能测试,结果表明,Sb、Y双掺杂能显著改善PbWO4晶体的光谱性能,使晶体在短波330～420nm范围的透过率明显提高,光产额增加,抗辐照能力增强.但从籽晶端到顶端的性能存在一定的差异,说明大尺寸的PbWO4:(Sb,Y)晶体的均匀性还有待提高.
关键词:
改进的Bridgman法
,
PbWO4:(Sb,Y)
,
光谱性能
