黄鹏
,
段静芳
,
鲍博
,
张虎
,
龙毅
,
叶荣昌
,
常永勤
,
万发荣
中国稀土学报
通过X射线衍射分析和超导量子干涉磁强计(SQUID)磁性测量, 研究了Co替代Fe含量对居里温度在室温以上的磁制冷材料La(Fe1-xCox)11.7Al1.3(x=0.072, 0.081)磁结构和磁性能的影响. La(Fe1-xCox)11.7Al1.3材料的居里温度随Co的含量增加而增加, La(Fe0.919Co0.081)11.7Al1.3的居里温度为311 K. 当外场变化为1.9 T时磁熵变达到3.6 J·kg-1·K-1, RCP值为168.6 J·kg-1, 虽然它的磁熵变小于具有巨磁熵变的磁制冷材料, 但是它在磁场为1.9 T时的制冷能力与这些材料相当.
关键词:
相对制冷能力
,
La(Fe
,
Co
,
Al)13化合物
,
磁熵变
,
稀土
许小红
,
段静芳
,
王芳
,
武海顺
,
李震
,
李佐宜
稀有金属材料与工程
在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响.设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响.用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4 cm,功率为50 W,溅射气压为0.5 Pa,溅射时间为9 min.并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素.而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小.本实验设计可达到95%的置信度.
关键词:
SmCo/Cr薄膜
,
矫顽力
,
Cr底层
,
溅射参数
许小红
,
武海顺
,
张富强
,
段静芳
,
李佐宜
稀有金属材料与工程
AlN压电薄膜材料具有许多优异的物理化学性质,本文对该薄膜材料的发展,结构特征,制备方法进行了综述,并对其应用前景进行了展望.
关键词:
AlN压电薄膜
,
结构
,
制备
,
应用
许小红
,
段静芳
,
杨治广
,
武海顺
稀有金属材料与工程
采用直流磁控溅射法制备了Co1-xPtx合金薄膜,并详细研究了其结构和磁学性能随x变化的规律.通过XRD结构分析可知:溅射态的薄膜当x≤28%时,为hcp结构;x=35%和40%时,为hcp和fcc的混合结构;x≥46%以后,为fcc结构.VSM测试结果表明:随x的增大,溅射态薄膜的矫顽力先增大后减小,当x=23%时,矫顽力达到最大值2147×79.6 A/m,在x=46%处矫顽力急剧下降至100×79.6 A/m左右,x＞46%以后,矫顽力随x的增大不再明显变化.退火后,hcp结构的薄膜矫顽力基本不变,而接近等原子比的fcc结构的CoPt薄膜,由于部分转变为fct结构,矫顽力有很大提高;fcc结构的CoPt3薄膜矫顽力有所增大,但是增大不多.
关键词:
CoPt
,
矫顽力
,
结构
,
磁学性能
许小红
,
李佐宜
,
段静芳
,
张晋芳
,
黄致新
,
林更其
稀有金属材料与工程
研究了真空退火对 TbCo薄膜结构和磁性能的影响.结果表明:薄膜从溅射态的非晶薄膜转化为退火态的微晶薄膜,并以( 100)面择优取向,其 c轴平行于基片.在真空退火不改变 TbCo薄膜的成分的条件下,发现 TbCo薄膜从溅射态的垂直磁化膜转化为退火态的面内膜.
关键词:
退火
,
磁性能
,
TbCo薄膜
段静芳
,
许小红
,
武海顺
,
李佐宜
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.05.012
采用直流磁控溅射法制备SmCo/Cr薄膜磁记录材料, 通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间, 得到了磁性能不同的SmCo/Cr薄膜. 利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究, 结果表明: 如果改变溅射参数, 使沉积Cr原子获得较大的能量, 则有利于Cr底层最终以(110)晶面择优取向. 本实验中Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件为: 溅射功率在50～70 W左右, 靶基距为6 cm, 压强为0.5 Pa, 溅射时间为15 min. 利用振动样品磁强计(VSM)测定SmCo/Cr薄膜的磁学性能, 结果表明, 如果Cr底层能以(110)晶面择优取向, 所得到的SmCo/Cr薄膜的磁学性能较好.
关键词:
铬底层
,
晶面取向
,
溅射参数
,
SmCo/Cr薄膜
,
矫顽力
许小红
,
段静芳
,
武海顺
稀有金属材料与工程
采用直流磁控溅射法制备了SmCo/Cr,SmCo/CrTi和SmCo/CrTi/Cr系列薄膜.SmCo薄膜的XRD结果表明:在Cr底层中添加Ti,得到的CrTi,CrTi/Cr底层也是以(110)面择优取向的,但是和Cr底层相比,衍射峰的位置由44.39°偏移到44.19°.薄膜的磁学性能由振动样品磁强计(VSM)测定,分析VSM的测量结果可知,用CrTi和CrTi/Cr做底层,SmCo薄膜的矫顽力Hc、矩形比S、矫顽力矩形比S*的值都比Cr底层的大,并且磁反转体积V*的值比Cr底层的小.SmCo薄膜的δM(H)曲线说明,Cr做底层时,薄膜晶粒间的相互作用为极化作用,CrTi,CrTi/Cr做底层时,薄膜晶粒间的相互作用为交换耦合相互作用.
关键词:
底层
,
矫顽力
,
矩形比
,
磁反转体积
,
晶粒间相互作用
