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沉积电压对电化学合成纳米ZnO多孔薄膜的影响

王春梅 , 杨立荣 , 段满珍 , 靳正国

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.01.017

采用电化学沉积法制备纳米ZnO多孔薄膜.并用XRD、SEM、XPS等方法研究了沉积电压对薄膜表面形貌及薄膜表面元素态的影响.结果表明:沉积电压越大,越有利于薄膜片状晶的长大,且形成多孔结构;随着沉积电压的增大,薄膜表面从缺氧到富氧,再到缺氧;沉积电压为-1.0V时,薄膜为层状结构,其2μm厚的薄膜在可见光范围内的光透射率为75%,光学带隙宽度为3.6eV.

关键词: 电化学沉积 , ZnO薄膜 , 沉积电压

合成堇青石材料的烧成制度研究

段满珍 , 杨立荣 , 黄转红

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2011.04.012

以粒度为3~4 μm的苏州土、8~10 μm的滑石粉和2~3 μm的工业氧化铝为原料,在MgO-Al2O3-SiO2三元相图低膨胀区选取不同的组成点配料,困料3d以上,以4.7 MPa压力半干压法成型为10 mm×10 mm×53 mm的试样,60℃干燥24h后入炉于1 400℃烧成.试验中设计了直接升温法和两种成核-生长法烧成制度,测试了这3种烧成制度下烧成试样的热膨胀系数,并采用扫描电镜和X射线衍射分析显微结构和物相组成.结果表明:采用烧成制度Ⅲ的成核-生长法,最佳烧成温度为1 400 ℃时,可获得热膨胀系数为(1.6~1.7) ×10-6C-1的董青石材料;而且对促进晶核发育,降低合成堇青石材料热膨胀系数确实有利.

关键词: 堇青石 , 热膨胀系数 , 烧成曲线

影响合成堇青石材料热膨胀系数的因素

段满珍 , 杨立荣 , 陈嘉庚

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2007.03.011

以苏州土52.3%(质量分数,下同),滑石35.5%,工业氧化铝12.2%为基本配比,合成堇青石材料.分别考察了晶核剂、气孔率、原料预煅烧和急冷处理等因素对合成堇青石材料热膨胀系数的影响.晶核剂采用堇青石熟料,外加量(w)分别为5%、10%、15%、20%、25%和30%;成孔剂采用磨细的面包渣,加入量(体积分数)分别为5%、8%、10%、15%和20%;滑石的预煅烧温度选定1 000 ℃,研究滑石是否煅烧对合成堇青石材料性能的影响.结果表明:适量堇青石熟料在烧成反应中可作为晶种促进堇青石晶核的形成;一定数量均匀分布的小气孔对降低材料的热膨胀系数有利,但气孔率太高反而影响材料性能;通过对滑石的预煅烧试验,证明对滑石进行1 000 ℃的预煅烧有利于降低热膨胀系数;对于急冷的处理方法,提出了与前人相反的观点,认为由于配料组成的差异,急冷未必能降低材料的热膨胀系数,当玻璃相组成为普通硅酸盐玻璃时,急冷的方法反而会增大合成堇青石材料的热膨胀系数.

关键词: 堇青石 , 热膨胀系数 , 晶核剂

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