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CMOS双层可变功函数金属栅技术

段宝兴 , 杨银堂

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.013

针对发展高速、低功耗CMOS电路,分析了CMOS技术对多层金属栅的要求;对于不同金属厚度的双层金属栅,利用MOS系统能带的变化得出半导体与多层金属功函数差取决于底层金属的功函数,这为只通过调节底层金属功函数以达到改变CMOS阈值电压提供了理论依据;利用不同厚度的双层金属系统能带变化分析获得,当多层金属栅的底层金属厚度小于其最大偶极层厚度时,功函数较厚膜材料变大,达到"厚度调变功函数"效应.

关键词: CMOS , 双层金属栅 , 阈值电压 , 调变功函数

应变硅的应变量表征技术

段宝兴 , 杨银堂

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.005

本文针对CMOS电路关键技术的发展,首先分析了应变硅技术包含的四个领域,总结得出从客观和主观两个方面,应变技术已成为微电子发展的关键技术;侧重于应变硅中应变量的表征介绍了常用的方法:Raman光谱频移法、会聚束电子衍射法、四点应变量测法、ANSYS模拟分析法,为应变硅技术在CMOS技术中的应用提供科学参考.

关键词: CMOS , 应变硅 , Raman光谱

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