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在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响.设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响.用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4 cm,功率为50 W,溅射气压为0.5 Pa,溅射时间为9 min.并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素.而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小.本实验设计可达到95%的置信度.

关键词: SmCo/Cr薄膜 , 矫顽力 , Cr底层 , 溅射参数

氮化铝薄膜织构的极图法研究

许小红 , 武海顺 , 马文瑾 , 段静芳 , 李佐宜

无机材料学报

在X射线衍射结果的基础上,采用极图法研究了AIN薄膜以(DO2)和(100)面的取向分布,发现在一定条件下制备的AIN(002)有很强的织构,并通过极图法来确定X射线衍射所无法确定的AIN(100)面择优取向薄膜中各晶粒c轴间的关系.

关键词: 氮化铝薄膜 , pole-figure method , texture

AlN压电薄膜材料研究进展

许小红 , 武海顺 , 张富强 , 段静芳 , 李佐宜

稀有金属材料与工程

AlN压电薄膜材料具有许多优异的物理化学性质,本文对该薄膜材料的发展,结构特征,制备方法进行了综述,并对其应用前景进行了展望.

关键词: AlN压电薄膜 , 结构 , 制备 , 应用

Co1-xPtx薄膜的结构与磁学性能

许小红 , 段静芳 , 杨治广 , 武海顺

稀有金属材料与工程

采用直流磁控溅射法制备了Co1-xPtx合金薄膜,并详细研究了其结构和磁学性能随x变化的规律.通过XRD结构分析可知:溅射态的薄膜当x≤28%时,为hcp结构;x=35%和40%时,为hcp和fcc的混合结构;x≥46%以后,为fcc结构.VSM测试结果表明:随x的增大,溅射态薄膜的矫顽力先增大后减小,当x=23%时,矫顽力达到最大值2147×79.6 A/m,在x=46%处矫顽力急剧下降至100×79.6 A/m左右,x＞46%以后,矫顽力随x的增大不再明显变化.退火后,hcp结构的薄膜矫顽力基本不变,而接近等原子比的fcc结构的CoPt薄膜,由于部分转变为fct结构,矫顽力有很大提高;fcc结构的CoPt3薄膜矫顽力有所增大,但是增大不多.

关键词: CoPt , 矫顽力 , 结构 , 磁学性能

反应溅射制备AlN薄膜中沉积速率的研究

许小红 , 武海顺 , 张富强 , 张聪杰 , 李佐宜

稀有金属材料与工程

通过对溅射过程中辉光放电现象及薄膜沉积速率的研究,发现随着氮浓度的增大,靶面上形成一层不稳定的AlN层,由于AlN的溅射速率远小于Al,从而使薄膜的沉积速率显著下降.同时还研究了其它溅射参数对薄膜沉积速率的影响.结果表明:随靶基距的增大和靶功率的减小,不同程度引起沉积速率的下降;随着溅射气压的增大,最初沉积速率不断增大,当溅射气压增大到一定程度时,沉积速率达到最大值,之后随溅射气压的增大,又不断减小.

关键词: 反应溅射 , 氮化铝薄膜 , 沉积速率

AlN薄膜取向程度与实验参数间的函数关系

许小红 , 张富强 , 武海顺 , 张聪杰 , 李佐宜

无机材料学报

反应溅射制备ＡｌＮ薄膜时，薄膜的择优取向与众多的实验参数有关．建立晶面择优取向程度与溅射气压、靶基距、靶功率等重要实验参数之间的函数关系，避免了研究每一项参数对薄膜择优取向影响所需的实验次数的繁多，得到制备择优取向程度最佳薄膜的实验参数．同时，通过用该函数关系式计算得到结果与实验结果比较，发现两者具有很好的一致性．这一系列函数关系式的建立，对进一步设计新的实验方案、验证已有的实验结果以及制备良好择优取向薄膜都有着重要意义．

关键词: 氮化铝薄膜 , experimental parameters , preferential orientation , function relation

氮化铝薄膜结构和表面粗糙度的研究

许小红 , 武海顺 , 张富强 , 金志浩

稀有金属材料与工程

采用直流磁控溅射的方法,在Si(111)基片上沉积AlN(100)面择优取向薄膜,研究了溅射功率对AlN薄膜结构及表面粗糙度的影响.结果表明,随着溅射功率的增加,沉积速率增大,但薄膜结构择优取向度变差,表面粗糙度增大,这说明要制备择优取向良好、表面粗糙度小的AlN薄膜,需选择较小的溅射功率.

关键词: 氮化铝薄膜 , 表面粗糙度 , 结构

溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响

段静芳 , 许小红 , 武海顺 , 李佐宜

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.05.012

采用直流磁控溅射法制备SmCo/Cr薄膜磁记录材料, 通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间, 得到了磁性能不同的SmCo/Cr薄膜. 利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究, 结果表明: 如果改变溅射参数, 使沉积Cr原子获得较大的能量, 则有利于Cr底层最终以(110)晶面择优取向. 本实验中Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件为: 溅射功率在50～70 W左右, 靶基距为6 cm, 压强为0.5 Pa, 溅射时间为15 min. 利用振动样品磁强计(VSM)测定SmCo/Cr薄膜的磁学性能, 结果表明, 如果Cr底层能以(110)晶面择优取向, 所得到的SmCo/Cr薄膜的磁学性能较好.

关键词: 铬底层 , 晶面取向 , 溅射参数 , SmCo/Cr薄膜 , 矫顽力

AlN薄膜取向程度与实验参数间的函数关系

许小红 , 张富强 , 武海顺 , 张聪杰 , 李佐宜

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.021

反应溅射制备AlN薄膜时,薄膜的择优取向与众多的实验参数有关.建立晶面择优取向程度与溅射气压、靶基距、靶功率等重要实验参数之间的函数关系,避免了研究每一项参数对薄膜择优取向影响所需的实验次数的繁多,得到制备择优取向程度最佳薄膜的实验参数.同时,通过用该函数关系式计算得到结果与实验结果比较,发现两者具有很好的一致性.这一系列函数关系式的建立,对进一步设计新的实验方案、验证已有的实验结果以及制备良好择优取向薄膜都有着重要意义.

关键词: 氮化铝薄膜 , 实验参数 , 择优取向 , 函数关系