郭保智
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刘永生
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武新芳
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房文健
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彭麟
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高湉
人工晶体学报
利用第一性原理对Ag,N,K三种不同族元素掺杂氧化锌的电子结构进行了研究,计算了完整晶胞和存在氧空位缺陷时掺杂晶胞的品格结构、氧空位形成能、态密度及能带结构.氧空位会使受主掺杂的晶格常数及晶胞体积变大;在钾掺杂的晶胞中氧空位的形成能更低,更容易产生氧空位;三种不同的掺杂体系中,Ag掺杂的空穴电导率最高;最后分析了氧空位对三种掺杂体系导电性的影响.
关键词:
ZnO
,
掺杂
,
氧空位
,
第一性原理
郭保智
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刘永生
,
房文健
,
徐娟
,
武新芳
,
彭麟
硅酸盐通报
氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用.制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确.本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响.
关键词:
氧化锌
,
n型导电
,
本征缺陷
,
非故意掺杂
