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硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究

刘保亭 , 程春生 , 赵庆勋 , 闫正 , 马良 , 李锋 , 武德起

功能材料

应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/ Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm.研究了异质结的结构和性能.实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍＞108Ω·cm.

关键词: 硅衬底 , 锆钛酸铅 , 溶胶-凝胶法 , 厚膜

高介电栅介质材料HfO2掺杂后的物理电学特性

武德起 , 姚金城 , 赵红生 , 张东炎 , 常爱民 , 李锋 , 周阳

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.012

采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔.900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层.实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小.

关键词: 高介电栅介质材料 , 激光分子束外延 , 二氧化铪

沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响

刘保亭 , 武德起 , 闫正 , 乔晓东 , 赵庆勋 , 王英龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.016

采用磁控溅射法在(001)SrTiO3 基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜,应用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响.结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内(250～400℃)都能得到外延LaNiO3薄膜.输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下,250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率.

关键词: LaNiO3 , 外延薄膜 , 磁控溅射

高介电栅介质材料研究进展

武德起 , 赵红生 , 姚金城 , 张东炎 , 常爱民

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00865

传统的栅介质材料SiO₂不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求, 因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究, 进展迅速. 本文综述了国内外对高介电材料的研究成果, 并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.

关键词: 高介电栅介质 , recrystallization temperature , lowK interface layer , metal gate

高介电栅介质材料研究进展

武德起 , 赵红生 , 姚金城 , 张东炎 , 常爱民

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.001

传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速,本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.

关键词: 高介电栅介质 , 晶化温度 , 低介电界面层 , 金属栅电极

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