孙忠巍
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王群
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瞿志学
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汤云晖
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武彤
稀有金属材料与工程
利用电子束蒸发沉积的方法制备了不同Ga含量的FeGa合金薄膜,采用XRD和EDS对制得的FeGa合金薄膜的物相和成分进行了分析.合金薄膜在氨/氢比1:1的气氛中500℃下被氮化,使用XRD、SEM对氮化后薄膜的物相组成、微观形貌进行了分析,并通过Hall测试系统对氮化后薄膜的电导行为进行了分析.结果表明,氮化得到了钙钛矿结构的Fe4-xGaxN,氮化后晶粒有轻微长大,Ga元素在薄膜中分布均匀;随着Ga含量的增大,薄膜的载流子浓度和电子迁移率都呈现出降低的趋势,电阻率逐渐增大.
关键词:
电子束蒸发沉积
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Fe4-xGaxN
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电阻率
张耀辉
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王群
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瞿志学
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汤云晖
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武彤
稀有金属材料与工程
为解决直接氮化法制备AlN粉体过程中存在的问题,采用具有高饱和蒸气压的Zn元素作为原料铝合金的合金元素,研究了Zn元素对Al-Zn以及A1-Mg-Zn合金直接氮化制备AlN粉体的影响.结果表明:Zn元素的挥发可以在反应初期破坏合金熔体氮化形成的氮化膜,避免熔体结块,提高转化率;另一方面,试验及热力学分析表明Zn元素的脱氧作用较差,而Mg元素可以在氮化过程中脱去气氛中的氧,避免Al2O3的形成.因此,采用Al-Mg-Zn三元合金进行直接氮化能够得到低含氧量、低金属杂质残留的纯相AlN.
关键词:
氮化铝
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含锌铝合金
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直接氮化
崔建升
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刘颖
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武彤
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郑艳侠
环境化学
doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2016.09.2016012606
研究了γ?六溴环十二烷（γ?HBCD）对玉米的对映体选择性毒性效应．采用高效液相色谱法制备得到（＋）γ?HBCD和（－）γ?HBCD 2个对映体．以玉米为受试植物，将幼苗分别暴露于不同浓度的（＋）γ?HBCD、（－）γ?HBCD和外消旋HBCD（（ rac）γ?HBCD）溶液中．结果表明，玉米幼苗的生长受到了明显的影响，根生物量、地上部分生物量、根长度、地上部分长度等生理指标均受到显著抑制，且抑制率为（＋）γ?HBCD ＞（ rac ）γ?HBCD ＞（－）γ?HBCD；与（ rac）γ?HBCD和（－）γ?HBCD相比，低浓度的（＋）γ?HBCD显著诱导了玉米根和地上部分超氧化物歧化酶（ SOD）和过氧化物酶（ POD）的活性，高浓度时则表现为抑制作用；组蛋白H2AX的磷酸化水平随γ?HBCD对映体和外消旋体暴露浓度的增加均呈现先升高后降低的趋势，其中（＋）γ?HBCD的诱导最为显著，表明幼苗体内可能发生了对映体选择性DNA损伤．综上所述，γ?HBCD对玉米产生了对映体选择性氧化损伤，且（＋）γ?HBCD的毒性强于（ rac）γ?HBCD和（－）γ?HBCD．
关键词:
γ-六溴环十二烷
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对映体
,
玉米
,
抗氧化酶活性
,
DNA损伤
