梅方
,
李立本
,
臧国忠
功能材料
通过传统陶瓷制备工艺制备了致密的SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷，研究了不同SnO2、Zn2SnO4复合比例对陶瓷介电性质的影响及其高介电性质产生的机理。研究发现，40Hz时，该复合陶瓷的相对介电常数高达10^4，远高于SnO^2、Zn2SnO4陶瓷，且样品的相对介电常数、导纳随组分的变化规律一致。进一步研究发现，样品的电容随着施加偏压的变化满足肖特基势垒电容公式，这表明，SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷的高介电行为起源于晶界处的双肖特基势垒。
关键词:
介电性质
,
复合陶瓷
,
肖特基势垒
,
SnO2
