夏玉学
,
王维彪
,
陈明
,
梁静秋
,
雷达
,
陈松
,
刘丽丽
,
姜锦秀
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.003
采用无氢的化学气相沉积法(CVD)进行碳纳米管的制备技术研究,并成功地制备了φ20～φ80nm左右,长度为50～100μm左右的碳纳米管.通过改变气体的流量等影响因素实现了定向碳纳米管薄膜和多层碳纳米管薄膜以及其它各种形态的碳纳米管的制备.采用微区Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等方法对产物的形貌和结构进行了表征,结果表明采用无氢CVD法可以制备出多种形态的碳纳米管.
关键词:
无氢化学气相沉积
,
碳纳米管
,
催化剂
曾乐勇
,
王维彪
,
梁静秋
,
夏玉学
,
雷达
,
陈松
,
刘丽丽
,
赵海峰
,
任新光
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.006
采用化学镀银的方法,制备了银包覆的金刚石复合材料,并利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼(Raman)光谱对样品的形貌和微结构进行了表征.利用电泳沉积的方法,制备了均匀的金刚石/银复合材料薄膜,场发射测试结果表明,在22 V/μm的电场下,金刚石/银复合材料的发射电流密度可达23.7 μA/cm2;而在26 V/μm的电场下,高压金刚石薄膜的发射电流密度仅为0.2 μA/cm2.与高压金刚石薄膜的场发射结果相比,金刚石/银复合材料的场发射性能有明显的提高.银的存在使银与金刚石界面处形成电子发射区,在外加电场作用下,该区域电子优先隧穿表面势垒逸出到真空,形成场致电子发射.
关键词:
场发射
,
金刚石
,
银
曾乐勇
,
王维彪
,
梁静秋
,
夏玉学
,
雷达
,
赵海峰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.006
以二茂铁为催化前驱物,C2H2为碳源,N2为载气,采用浮动催化法,在蓝宝石、单晶硅、石英、玻璃以及碳纤维基底上制备了不同形貌和结构的碳纳米管.利用扫描电子显微镜和Raman光谱对碳纳米管的形貌和微结构进行了表征.结果表明在蓝宝石和石英基底上所生长的碳纳米管薄膜具有较好的定向性和较高的石墨化程度;单晶硅基底上碳纳米管薄膜呈"底疏顶密"分布;而玻璃和碳纤维基底上所生长的碳纳米管不具有定向性.最后,对不同基底对碳纳米管生长的影响进行了分析和讨论.
关键词:
碳纳米管
,
浮动催化
,
显微镜
,
Raman光谱
曾乐勇
,
王维彪
,
梁静秋
,
夏玉学
,
雷达
,
赵海峰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.020
以乙炔(C2H2)为碳源,N2为载气,二茂铁为催化前驱物,采用浮动催化法,在碳纤维衬底上制备了垂直定向的碳纳米片阵列.利用SEM,EDX和Raman光谱对所得产物进行了表征.结果表明经十二烷基磺酸钠(SDS)和二茂铁的丙酮溶液煮沸和浸泡处理后的碳纤维表面所生长的碳纳米片长度约为600 nm,宽度约为50 nm.Raman光谱分析表明所制备的碳纳米片为石墨结构.碳纤维的预处理不仅活化了表面,而且避免了催化剂向其内部的渗透和吸收.基于以上结果,碳纤维/碳纳米片在场发射领域很可能有重要的应用.
关键词:
碳纤维
,
碳纳米片
,
浮动催化
雷达
,
曾乐勇
,
夏玉学
,
陈松
,
梁静秋
,
王维彪
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.011
利用静电场理论,对带栅极纳米线场发射冷阴极器件模型进行电场计算,在此基础上,进一步对器件几何参数以及电压对纳米线顶端表面电场的影响做了理论分析.结果表明,在纳米线低于栅极的情况下,纳米线顶端表面电场强度比其他点更强,随着离纳米线顶端距离的增加,电场急剧下降;栅孔半径、阴极与栅极距离的减小以及纳米线长度的增加,均使纳米线顶端表面电场大大增强,而栅极与阳极间距变化对顶端表面电场的作用很微弱;另外,纳米线顶端表面电场随栅极和阳极电压的增加而大幅度增强,尤其栅极电压的变化对纳米线顶端表面电场的影响更大.
关键词:
场发射
,
冷阴极器件
,
静电场理论
,
纳米线
包兴臻
,
梁静秋
,
梁中翥
,
田超
,
秦余欣
,
王维彪
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0726
LED微阵列器件具有体积小、分辨率高、寿命长及耗能低等突出特点.出光效率是该器件的一项重要参数,文中对以AlGaInP外延片为基片的LED微阵列器件的出光效率进行了理论及实验研究.器件的像素周期设计为100 μm×100μm,发光单元间的上隔离沟槽宽度为20 μm、深度为25 μm,将在600～650 nm波段具有高反射率的均匀掺单晶硅纳米颗粒的聚酰亚胺作为复合材料来填充上隔离沟槽,将侧面出射的光反射到上表面,实现了相邻两个发光单元之间的光学和电学隔离.分析计算表明,通过填充硅纳米颗粒/聚酰亚胺复合膜材料,使每个发光单元侧面出射光的16.695％反射回窗口层,提高了出光效率.这项研究将有助于提高LED微阵列器件的出光效率.
关键词:
聚酰亚胺复合膜
,
出光效率
,
反射率
,
微阵列
梁静秋
,
李佳
,
王维彪
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.004
根据AlGaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构.利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16 μm×16 μm和2 μm.简述了减薄GaAs衬底的作用,设计衬底电隔离沟槽宽度为5 μm.采用湿法腐蚀工艺进行器件结构制备,利用不同的腐蚀剂对金属层、p-GaP层、AlGaInP层和n-GaAs衬底层进行腐蚀.实验结果表明,腐蚀后的沟槽形貌较好,其深度和宽度可以达到设计要求.
关键词:
发光二极管阵列
,
微显示器件
,
隔离沟槽
,
湿法腐蚀
