梁李敏
,
解新建
,
郝秋艳
,
田园
,
刘彩池
人工晶体学报
本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理.用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化.实验结果表明:黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火温度呈非线性变化.在200～600℃退火范围内,黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化是由于辐照Ga空位与O施主杂质的结合和断裂引起的.800℃退火后黄光带、电子浓度和电子迁移率的变化与电子辐照引入的N空位有关.
关键词:
GaN
,
辐照缺陷
,
黄光带
,
电子浓度
乔治
,
解新建
,
刘辉
,
梁李敏
,
郝秋艳
,
刘彩池
人工晶体学报
采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响.结果表明:由于“硼掺杂效应”,随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[220];光学带隙逐渐减小,电导率则先升后降;本实验中薄膜的最优掺杂比为0.3％.以优化后的p型nc-Si∶H薄膜做窗口层,SHJ太阳电池的性能得到明显改善,获得了效率为14.1％的电池.
关键词:
RF-PECVD
,
nc-Si∶H薄膜
,
硼掺杂
,
SHJ太阳能电池
梁李敏
,
刘彩池
,
解新建
,
王清周
材料导报
概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理,从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展,并对其优缺点进行了分析比较,认为发展同质外延将有希望解决现在异质外延生长中存在的问题,最后展望了GaN基薄膜同质外延生长的前景.
关键词:
GaN
,
缺陷
,
异质外延
,
横向外延
,
缓冲层
,
柔性衬底
李诺
,
王清周
,
崔春翔
,
梁李敏
,
王倩
功能材料
首次利用烧结-脱溶法以NaCl颗粒为造孔剂成功制备出了多孔CuAlMn形状记忆合金,并对其进行了物相分析,宏、微观形貌观察及马氏体相变行为的研究。结果表明所得多孔CuAlMn形状记忆合金中孔洞分布均匀,且相互连通。材料的弯曲断口表现出一定韧性断裂特征,且可以看出合金粉末颗粒间结合呈冶金结合,无单独、分离的合金粉末颗粒存在,说明多孔合金的烧结质量较高。热处理后的合金组织为全马氏体相,DSC曲线上出现明显的吸、放热峰,表明其马氏体相变行为良好。
关键词:
多孔形状记忆合金
,
烧结-脱溶
,
NaCl
,
马氏体相变
