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侧向多氟取代二芳基乙炔类液晶的合成及性能

莫玲超 , 梁晓琴 , 安忠维 , 陈新兵 , 陈沛

应用化学 doi:10.3724/SP.J.1095.2013.20446

以对烷基溴苯和4-溴-2,3-二氟苯酚为原料,经芳基硼酸化、Suzuki偶联反应、Sonogashira偶联反应和碘代等反应,制得16种侧向多氟取代二芳基乙炔类液晶化合物,其结构经IR、NMR和MS确认.利用差示扫描量热仪(DSC)、偏光显微镜(POM)和阿贝折光仪对该系列化合物进行了性能研究.结果表明,该系列化合物具有较低的熔点、宽的液晶相区以及较高的光学各向异性值(△n >0.3).该类液晶具有在双频液晶中应用的广阔前景.

关键词: 侧向多氟取代 , 二芳基乙炔 , 双频液晶

温度对GaN(0001)表面吸附生长TiO2分子的影响?

梁晓琴 , 周金君 , 黄平 , 杨春

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.10.023

采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了在300,400,500,600和700℃5种温度下TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程,研究了吸附过程中系统能量、动力学轨迹、Mulliken 布居分析、表面成键电子密度分布(ELF)以及扩散系数等性质.结果表明,温度会影响 TiO2分子中两个 O 原子与 GaN 表面两个Ga 原子成键顺序;500℃时 O2—Ga3成键的时间最早,TiO2在 GaN(0001)表面吸附生长的速率最快.600℃下TiO2分子在物理吸附阶段的扩散系数比在500℃下扩大了接近100倍,500℃时 O—Ga1的局域电荷分布ELF值最大为0.750,说明500℃下 O—Ga1键共价性最强.由此可见,TiO2分子在 GaN(0001)吸附生长最佳温度是500℃.

关键词: TiO2 , GaN(0001) , 温度 , 动力学 , 吸附

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