韩培德
,
贾虎生
,
梁建
,
鲍慧强
,
王丽萍
,
迟美
,
许并社
材料热处理学报
doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2005.03.024
使用转移矩阵方法计算了GaN/C60多层膜一维光子晶体的带隙结构.计算结果表明,由厚度分别为21nm、49nm的GaN、C60薄膜组成的多层膜结构,在中心带隙为6.46eV处有一不完全的光子带隙存在,反射率最高可达64.3%.
关键词:
富勒烯
,
GaN
,
多层膜
,
光子晶体
赵君芙
,
赵丹
,
梁建
,
马淑芳
,
许并社
材料导报
采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功地制备了GaN多晶薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌、表面粗糙度和发光性能分析.结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于530nm附近的黄光发光峰及中心波长位于约637nm的红光发光峰.
关键词:
半导体
,
GaN多晶薄膜
,
Al缓冲层
,
CVD法
韩培德
,
梁建
,
余愿
,
鲍慧强
,
刘旭光
,
许并社
稀有金属材料与工程
采用X射线粉末衍射Rietveld精修方法和高分辨电子显微方法分析了六钛酸钾纳米线的晶体结构.X射线精修结果表明纳米线的晶体结构与六钛酸钾晶须结构相同.高分辨电子显微像模拟计算所得的像与高分辨像匹配良好,且与X射线结构精修所得结构模型相符.纳米线的生长方向平行于K2Ti6O13结构的[010]方向.
关键词:
六钛酸钾
,
X射线
,
高分辨电子显微术
,
晶体结构
梁建
,
赵国英
,
赵君芙
,
张华
,
贾伟
人工晶体学报
以氯化铟和无毒红磷为主要原料,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,采用溶剂热法低温合成磷化铟纳米线,并用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对所制备产物的结构和形貌进行了分析表征;能谱仪(EDS)和荧光分光光度计对所制备产物的成分,含量和发光性质进行了表征.结果表明:采用该方法制备出的磷化铟纳米线长短不同,最小直径为20 nm.在合适的条件下,改变反应温度、增加反应时间或改变碱溶液都可生长出高品质的磷化铟纳米线.
关键词:
溶剂热
,
磷化铟
,
十六烷基三甲基溴化铵
,
纳米线
梁建
,
危兆玲
,
李天保
,
赵君芙
,
李婧
,
许并社
功能材料
在两个微波合成体系中,考察了十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的量对PbS形貌的影响,分别得出了星形和花状两种结构的最佳制备条件.结果显示在三水合乙酸铅为铅源、硫脲为硫源、二甲基亚矾(DMSO)作溶剂的体系中,加入0.1g CTAB,可形成完美的星形结构;不加CTAB时形成星形结构PbS的表面相对较光滑;当CTAB的加入量为0.05g时,则形成了纳米枝状结构.而在铅源、硫源和溶剂分别为硝酸铅、L-半胱氨酸和去离子水体系,加入0.05gCTAB时,可形成完美的花状结构;不加CTAB时,形成片状结构和部分立方体结构;当CTAB的加入量为0.025g时,虽然没有形成明显的花状结构,但是有组装成花状结构的趋势.同时结合实验和文献对星形结构和花状结构PbS的形成机理进行初步探讨.
关键词:
PbS
,
CTAB
,
微波法
,
星形
,
花状
陈席斌
,
马淑芳
,
董海亮
,
梁建
,
许并社
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.05.01
采用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长GaN基材料,设计并优化外延生长条件,探索单层N型GaN(N-GaN)、多量子阱(MQW)、电子阻挡层(P-AlGaN)、P型GaN(P-GaN)材料对发光二极管(LED)器件的光电性能的影响.通过X射线衍射仪(XRD)、电致发光谱(EL)、光致发光谱(PL)等测试设备对外延片进行表征.结果表明:经优化Si掺N-GaN和垒层(QB),获得较好的(102)、(002)半峰宽,正向电压从4.46 V分别降至3.85 V、3.47V,发光强度从4.86 mV提高到6.14 mV.然后对P型AlGaN层进行Mg掺杂优化,正向电压下降至3.35V,发光强度提高到6.14 mV.最后对P-GaN层进行了生长温度及退火温度的优化,结果发现正向电压从3.16V提高至3.32V,发光强度提高至6.70 mV左右.全自动探针台在测试电流20 mA的条件下,对芯片的电压和发光强度进行了测试,电压大致从4.5V降到3.8V左右,下降了16％.发光强度大概从110 mcd提高到135 mcd,提高了 20％左右.结合实验结果与理论综合分析,解释了N-GaN层和QB层Si掺量,P-AlGaN层Mg掺量,P-GaN层生长温度及活化温度对正向电压和亮度的影响,从而为高质量GaN薄膜材料外延生长及高性能的LED提供了更好的实验指导与理论支持.
关键词:
发光二极管
,
GaN
,
正向电压
,
发光强度
梁建
,
王晓斌
,
张艳
,
董海亮
,
刘海瑞
,
许并社
人工晶体学报
本文用快速微波水热加煅烧的工艺制备了不同Dy3+掺杂浓度的棒状β-Ga2O3:Dy3+蓝/黄荧光粉.XRD和SEM分析表明Dy3+的掺入使样品的结晶度降低但未对其形貌产生影响.光致发光测试结果表明,β-Ga2O3:DY3+的发射峰位于492nm和580 nm；并且随着Dy3+掺杂量的变化,样品的发射峰强度和蓝光/黄光发射强度比例发生了变化；在Dy3+掺杂量为3mol％时,样品的发射强度达到最大值,蓝光/黄光发射强度比例为59.29％/40.71％.另外,简要分析了GaOOH的生长机理和Dy3+在GaOOH∶Dy3+及β-Ga2O3:Dy3+中的掺杂机理.
关键词:
微波水热法
,
β-Ga2O3∶Dy3+
,
光致发光
李天保
,
梁建
,
许并社
,
王进
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00947
采用了溶剂热法(水和乙醇做溶剂)合成出了物相和形貌可控的一维硼酸镁纳米棒. 研究结果表明, 在溶剂的超临界状态下, 无需表面活性剂的参与, 能直接合成出一维硼酸镁纳米棒. 通过对不同反应阶段生成产物的XRD结构分析, 表明Mg2B2O5结构的形成经历了从Mg(OH)2到MgBO2(OH)的转变; 通过对相应阶段生成产物的SEM观察, 表明Mg2B2O5纳米棒的形貌经历了从片状到短柱状再到棒状的演变. 分析认为Mg2B2O5纳米棒的形成遵循着形核→溶解→各向异性生长→再结晶的过程.
关键词:
硼酸镁
,
nanomaterial
,
solvothermal method
黄平
,
李婧
,
梁建
,
赵君芙
,
马淑芳
,
许并社
人工晶体学报
室温下,以CdSO4H1SeO3和Na2SO4为原料,采用二电极体系,利用电化学法在ITO玻璃基底上沉积了CdSe薄膜.采用高分辨x射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)、紫外.可见.近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征.结果表明:所制备的薄膜为立方相CdSe,呈纳米颗粒状,部分粒子表现出不均匀团聚.紫外吸收光谱的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移,且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应.样品发射光谱表现出荧光现象,且单色性好.适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用,同时讨论了其反应机理.
关键词:
电化学沉积
,
CdSe薄膜
,
禁带宽度
,
沉积电压
梁建
,
马淑芳
,
韩培德
,
孙彩云
,
许并社
稀有金属材料与工程
采用水热合成法,以TiO2粉体和NaOH为原料,成功地制备出了TiO2纳米管.用XRD,SEM,HRTEM,紫外吸收光谱分析仪和光谱辐射分析仪等手段对纳米管进行微观形貌、光学性能的表征,并探讨了其生长机理.结果表明,所得产物为锐钛矿和金红石混晶型TiO2纳米管,管壁为多层,管的外径分布在10 nm～50 nm,长度可达几微米甚至十几微米,呈开口状;TiO2纳米管的生长机理符合3-2-1D的生长模型,其紫外吸收光谱和光致发光光谱相对于原料粉均呈现出蓝移现象,光致发光光谱显示TiO2纳米管在可见光区的发光强度明显增强.
关键词:
水热合成法
,
纳米管
,
多层管壁
,
蓝移
