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TFT工艺中的反应性离子刻蚀

柳江虹 , 袁剑峰 , 杨柏梁 , 梁庆成

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.01.006

对TFT器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究,给出了TFT器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果,并讨论了掺杂气体(如H2、Ar)对刻蚀速率的影响.

关键词: 反应性离子刻蚀 , 选择比 , TFT器件