范平
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梁广兴
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张东平
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蔡兴民
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池京容
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李盛艺
功能材料
采用离子束溅射的方法在玻璃衬底上制备CdS多晶薄膜,研究了沉积过程中基底温度(100～400℃)与薄膜厚度(35～200nm)对其微结构与光电性能的影响.结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向生长特征;随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小相应薄膜结晶度增大,有利于颗粒的生长;分析CdS薄膜的光谱图线可知,薄膜在可见光区平均透射率高于75%,光学带隙值随着基底温度升高而增大(2.33～2.42eV)且薄膜电阻高达109Ω;在基底温度为400℃条件下制备不同厚度的CdS薄膜,发现(50～100nm)较薄的CdS薄膜具有较为明显的六方相CdS多晶薄膜结构、较优光学性能和高电阻值,满足CIS基太阳电池中缓冲层材料的基本要求.
关键词:
CdS薄膜
,
离子束溅射
,
微结构
,
光电性能
范平
,
古迪
,
梁广兴
,
罗景庭
,
张东平
,
陈聚龙
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150098
采用全真空单源热蒸发沉积技术直接制备钙钛矿太阳电池用有机无机杂化CH3NH3PbI3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和分光光度计对制备的CH3NH3PbI3薄膜微结构、表面形貌、化学成分和光学性能进行表征分析,并与非真空旋涂法制备的CH3NH3PbI3薄膜性能进行比较。结果表明：单源热蒸发法制备的 CH3NH3PbI3薄膜呈现单一的钙钛矿四方晶体结构,且与蒸发源材料的晶体结构同源性高,没有出现杂质相偏析；对比旋涂法制备的 CH3NH3PbI3薄膜表面均匀致密平整,且薄膜结晶度更高；单源热蒸发法制备的CH3NH3PbI3薄膜禁带宽度为1.57 eV,符合钙钛矿太阳电池吸收层光学性能要求。
关键词:
单源热蒸发法
,
CH3NH3PbI3薄膜
,
钙钛矿太阳电池
,
微结构
