陈磊
,
梁凤芝
,
陈昊
,
范勇
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2010.06.001
以3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐(BPDA)、对苯二胺(pPDA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)、4,4'-二氨基二苯醚(ODA)4种单体为原料,制备出一系列pPDA-BPDA组分占不同摩尔百分含量的无规嵌段共缩聚聚酰亚胺薄膜.通过力学性能、热性能、电性能测试对薄膜的性能进行了研究.结果表明,随着PPDA-BPDA刚性嵌段引入量的增加,聚酰亚胺薄膜的弹性模量和拉仲强度得到较大提高,而其断裂仲长率呈现先增加后下降趋势;热稳定性增强;击穿场强在PPDA-BPDA组分摩尔百分含量为50%时达到最大,但均低于未引入嵌段时的薄膜的击穿场强.
关键词:
聚酰亚胺
,
无规嵌段
,
力学性能
,
热稳定性
,
击穿场强
梁凤芝
,
陈磊
,
陈昊
,
范勇
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2011.01.001
采用水热法制备纳米氧化铝溶胶,溶胶-凝胶法制备氧化硅溶胶,并将两者掺杂到聚酰亚胺(PI)基体中.实验中固定无机物掺杂总量为24%,通过调整纳米硅/铝氧化物的摩尔比,制备出一系列的无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、耐电晕测试装置、耐击穿测试装置对薄膜进行了表征与测试.结果表明:硅溶胶掺杂量较小时,纳米粒子能较好地分散在聚酰亚胺基体中;杂化薄膜的耐电晕时间比纯膜有较大幅度提高,硅/铝摩尔比为1:13时,耐电晕时间达到62.15 h;随着硅溶胶掺杂量的增加,杂化薄膜的击穿强度先减小后增大,但均比纯膜的低.
关键词:
聚酰亚胺
,
硅铝氧化物
,
无机杂化
,
电性能
