郑泽伟
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沈波
,
张荣
,
桂永胜
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蒋春萍
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马智训
,
郑国珍
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郭少令
,
施毅
,
韩平
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.021
通过低温和高磁场下的磁输运测量,首次在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结中观察到了舒勃尼科夫-德哈斯振荡的双周期特性,发现在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的三角势阱中产生了二维电子气(2DEG)的第二子带占据,发生第二子带占据的阈值2DEG浓度估算为7.2×1012 cm-2,在阈值2DEG浓度下第一子带和第二子带能级的距离计算为75 meV.
关键词:
异质结
,
舒勃尼科夫-德哈斯振荡
,
第二子带占据
唐宁
,
沈波
,
陈敦军
,
桂永胜
,
仇志军
,
郑有炓
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.008
通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到了磁致子带间散射(MIS)效应.在极低温下观察到了表征两个子带被2DEG占据的双周期舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡.实验观察到MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小,振荡的频率为两个子带SdH振荡频率之差.随着温度的升高,MIS振荡成为主要的振荡.由于SdH振荡和MIS振荡对温度的依赖关系不同,实验观察到SdH和MIS振荡之间的调制在温度10和17 K之间最为强烈,其它温度下的调制很弱.
关键词:
AlxGa1-xN/GaN异质结构
,
二维电子气
,
磁致子带间散射
