蒋百灵
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文晓斌
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栾亚
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丁小柯
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李显
材料热处理学报
利用非平衡磁控溅射离子镀技术于不同磁控管非平衡度和磁场闭合状态下在单晶硅基体上制备出Cr镀层,采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪分析了不同生长阶段Cr镀层的微观形貌、表面粗糙度和晶体择优牛长趋势的变化.结果表明:磁控管非平衡和磁场闭合状态的改变显著影响着Cr镀层生长过程中的结晶取向、表面粗糙度和致密度.不同非平衡度下,Cr镀层组织为疏松的柱状晶体组织,镀层表面粗糙度随磁控管非衡度的增大而增大.随着磁场闭合程度的增加,Cr镀层组织由疏松的柱状晶体组织,向较致密的柱状晶体再向致密的无明显柱状晶体的组织转化,镀层晶体有沿低能量(110)晶面生长向高能量(200)晶面过渡择优生长的趋势.
关键词:
磁控管非平衡度
,
闭合状态
,
磁控溅射离子镀
,
粗糙度
,
择优取向
栾亚
,
丁小柯
,
蒋百灵
,
鲁媛媛
人工晶体学报
利用非平衡磁控溅射离子镀技术于不同磁场闭合状态下在单晶硅基体上制备出Cr膜,采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪观察并分析了不同闭合状态下镀层的微观形貌和晶体择优生长趋势.结果表明:闭合状态显著影响着Cr膜生长过程中的柱状晶取向和致密度.不闭合状态下,Cr膜截面组织为典型疏松的柱状晶体组织,镀层沿(110)面择优生长;半闭合状态下,Cr膜截面组织为较致密的柱状晶体组织,在不同生长时期,镀层沿(110)或(200)面择优生长;完全闭合状态下,Cr膜截面组织在初始1 μm范围内,为致密纤维状晶体组织,随后呈现致密的无明显柱状晶体形貌,镀层沿(200)面择优生长.
关键词:
闭合状态
,
磁控溅射
,
择优取向
蒋百灵
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曹政
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鲁媛媛
,
栾亚
材料热处理学报
采用Langmuir探针测定了不同磁场闭合状态下辉光放电环境中的电子温度(Te)、电子密度(ne)及离子密度(ne)空间分布状态,探讨了磁场闭合度对CrNx镀层沉积效率的影响机理.结果表明:三种磁场闭合状态下,电子温度都在靶面处最高,相邻靶间对称面最低,真空腔内部出现一个直径约240 mm的均匀中心区域;电子密度和离子密度在三种条件下均于真卒腔中心处最高,边缘处最低,而随磁场闭合度的整体变化规律表现为这两个参数值在不闭合状态时小于半闭合和完全闭合状态时;完全闭合状态下镀层的厚度明显大于半闭合和不闭合状态下的镀层厚度.
关键词:
磁场闭合状态
,
电子温度
,
电子密度
,
离子密度
,
CrNx镀层
