缪存星
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赵占霞
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栗敏
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徐飞
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马忠权
人工晶体学报
利用射频磁控溅射方法,采用Sc_2O_3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜.用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3 Pa到2.0 Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响.XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响.所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85%,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低.
关键词:
射频磁控溅射
,
SZO薄膜
,
溅射压强
,
透明导电氧化物
赵占霞
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栗敏
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詹颜
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王德明
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马忠权
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孙铁囤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.017
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.
关键词:
纳米硅薄膜
,
RF溅射
,
Ⅰ-Ⅴ曲线
,
能带模型
