商广良
,
赵天月
,
赵星星
,
王强涛
,
姚琪
,
杨亚锋
,
张玉婷
,
张凯亮
,
冷长林
,
张丽蕾
,
金瑞润
,
柳在一
,
王刚
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122706.0785
为了降低薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的功耗,提出了一种新的双栅之型反转驱动方法.研究了双栅之型反转驱动技术的节能原理,完成了相关结构设计、电路设计,制作了35.6 cm(14 in) WXGA(1366 RGB×768)样品,测试并分析了节能效果.结果表明,该技术可以有效降低TFT-LCD的功耗,在显示彩条画面的情况下,液晶屏模拟电源功耗降低了70％(191 mW).分析了出现的莫尔条纹问题,并提出了解决方案.该研究为降低TFT-LCD及其他显示设备的功耗提供了一种驱动方法及设计参考.
关键词:
TFT-LCD
,
低功耗
,
驱动
,
双栅之型反转
,
莫尔条纹
金奉柱
,
崔瑩石
,
劉聖烈
,
張炳鉉
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
,
Jung-yeal LEE
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.001
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差.通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行.为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替 SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5.16(2.03 in)像素结构中,开口率提高了60 %.
关键词:
TFT-LCD
,
开口率
,
刻蚀
,
CF4等离子体
金原奭
,
金聖雄
,
崔大林
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.004
为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程.然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好.文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX (Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻.经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300 Ω,而且没有ACX引起的问题出现.
关键词:
ITO
,
Al-C-N
,
接触电阻
,
组分
劉聖烈
,
崔螢石
,
金奉柱
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.020
为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善.但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用.本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.
关键词:
液晶显示器
,
腐蚀
,
Al,Mo/Al/Mo
,
等离子体处理
金雄聖
,
金原奭
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.006
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对SiNx薄膜表面进行处理.在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅.利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅.为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率.室温下,电导率从非晶硅的10-10 S/cm增加到10-5 S/cm.
关键词:
薄膜
,
纳米晶硅
,
等离子增强化学汽相沉积
,
电导率
宋泳锡
,
劉聖烈
,
柳在一
,
張炳鉉
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.009
为了获得更高性能的TFT-LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一.本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工艺,而不需要改变Eop和显影时间,就可以将通孔图形的尺寸减小20 %～25 %.在后续的刻蚀工艺中,通孔的尺寸能显著减小.
关键词:
TFT-LCD
,
光刻
,
通孔图形
,
尺寸
