戴永胜
,
陈堂胜
,
杨立杰
,
李辉
,
俞土法
,
陈新宇
,
郝西平
,
陈效建
,
林金庭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.002
介绍了一种新颖的在5～20GHz频率范围的共享一个兰格耦合器的22.5°和11.25°MMIC多倍频程移相器的设计、制造和性能.选择了工艺变化对电路性能最小的电路拓扑.在5～20GHz频率范围内,以展示出低的峰值相移误差(≤2°);低的输入/输出驻波(≤1.5)和低插入损耗及起伏(≤(2.6±0.4)dB).芯片尺寸为:4.2mm×0.46mm×0.1mm.
关键词:
微波毫米波单片集成电路
,
开关金属半导体场效应晶体管
,
兰格耦合器
,
多倍频程
,
反射型移相器
戴永胜
,
陈堂胜
,
扬立杰
,
俞土法
,
李辉
,
陈新宇
,
郝西平
,
陈效建
,
林金庭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.003
介绍了一种没有驱动器可兼容多极性控制信号的90°MMIC多倍频程数字/模拟兼容移相器的设计、制造和性能.获得了高性能(在5～20GHz频率范围内,低的峰值相移误差≤(90±5)°;低的输入/输出驻波≤1.5和低插入损耗及起伏≤(3.0±0.5)dB)和小芯片尺寸(4.2mm×0.6mm×0.1mm).
关键词:
微波毫米波单片集成电路数字/模拟移相器
,
多倍频程
,
可兼容多极性控制信号
彭龙新
,
周正林
,
蒋幼泉
,
林金庭
,
魏同立
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.009
报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,噪声系数≤2.2 dB,输入、输出电压驻波比<1.6∶1,平坦度≤±1 dB,1 dB压缩功率≥15 dB·m,相位一致性≤±3°,幅度一致性≤±0.5 dB.芯片尺寸为2.43 mm×1.85 mm.
关键词:
微波单片集成电路
,
赝配高电子迁移率晶体管
,
低噪声放大器
彭龙新
,
李建平
,
林金庭
,
魏同立
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.027
报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封装后测试结果为:在C波段,带宽1.1 GHz,增益＞25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,噪声系数≤1.72dB,输入、输出电压驻波＜2:1;带内最小噪声系数为1.61dB,相关增益为26.3dB.测量结果与设计符合得较好.
关键词:
微波单片集成电路
,
低功耗
,
赝配高电子迁移率晶体管
,
低噪声放大器
陈效建
,
毛昆纯
,
林金庭
,
杨乃彬
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.001
着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAsMMIC研制方面的近期进展.在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射、接收与控制三类电路,给出有关的实验结果.此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果.
关键词:
砷化镓
,
微波单片集成电路
,
CAD模型
,
CAD设计优化
