钱聪
,
张恩霞
,
贺威
,
张正选
,
张峰
,
林成鲁
,
王英民
,
王小荷
,
赵桂茹
,
恩云飞
,
罗宏伟
,
师谦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.04.012
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.
关键词:
绝缘体上硅(SOI)
,
总剂量辐照效应
,
环栅结构
,
H型栅结构
刘卫丽
,
多新中
,
张苗
,
沈勤我
,
王连卫
,
林成鲁
,
朱剑豪
功能材料
采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响.采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构,截面透射电镜表征材料的微结构,原子力显微镜表征外延层表面的粗糙度,卢瑟福背散射/沟道表征外延层晶体质量,扩展电阻表征材料的电学性能.一系列的测试结果表明对于在5mA/cm2电流密度下阳极氧化10min形成的多孔硅衬底,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅.
关键词:
多孔硅
,
超高真空电子束蒸发
,
外延
,
单晶硅
范秀强
,
张正番
,
刘永光
,
多新中
,
张苗
,
王连卫
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.012
介绍一种SOI/CMOS数模转换器的设计和工艺.电路采用了SOI(SiliconOnInsulator)材料代替常规的体硅,使电路具有高速、抗辐照的特点;同时,电路采用独特分段结构和3-7温度编码电路,降低了对R-2R电阻网络的精度要求,提高了转换精度.
关键词:
数模转换器
,
SOI/CMOS
,
高速度
,
模拟开关
门传玲
,
徐政
,
安正华
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.001
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜.以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要.利用智能剥离技术(Smart-cutprocess)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料.剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求.
关键词:
AlN薄膜
,
键合
,
SOI
,
离子束增强沉积
章宁琳
,
宋志棠
,
沈勤我
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.017
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.
关键词:
高K栅介质
,
非晶
,
ZrO2薄膜
,
表面粗糙度
林青
,
谢欣云
,
朱鸣
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.024
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN、GPSOI、SiCOI、GeSiOI、SON、SSOI等.结合SOI新结构制备工作,报道了SOI的自加热效应及其新结构的研究进展.
关键词:
自加热效应
,
沟道电流
,
跨导畸变
,
负微分迁移率
,
SOI新结构
王石冶
,
刘卫丽
,
张苗
,
林成鲁
,
宋志棠
功能材料
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.
关键词:
SOI
,
高压器
,
击穿电压
