肖海波
,
张峰
,
张昌盛
,
程新利
,
王永进
,
陈志君
,
林志浪
,
张福民
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.01.006
通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×10115cm-2Er离子,Ar气氛下773~1273K退火1h.低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升.973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰.光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系.
关键词:
掺Er-Al2O3薄膜
,
PL谱
,
光透射谱
林志浪
,
郑新和
,
王群
,
周美玲
无机材料学报
高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y2O3的复合AIN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.粉化后获得的复合AIN粉体具有纯度高,氧杂质含量低,粒度细小等优点.
关键词:
AIN粉体
,
Lanxide method
,
aluminium alloys
,
sintering additives
程新利
,
林志浪
,
王永进
,
肖海波
,
张峰
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.007
利用 SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜 SOI材料.采用 Secco液腐蚀、椭圆偏振仪 (SE)、 扩展电阻 (SRP)等技术对材料的性能进行了表征,分析了外延硅层中缺陷产生的主要原因.外延层 电阻率纵向分布均匀 ,其缺陷主要来源于衬底缺陷延伸和表面的不平整.用制备的厚膜 SOI材料 制作了脊型光波导并完成了光损耗测试实验 ,得到了传输损耗为 0.4dB/cm的波导结构.
关键词:
厚膜 SOI材料
,
缺陷
,
光波导
曹共柏
,
林志浪
,
肖海波
,
张峰
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.05.022
数值求解光波导模式的方法,矢量元方法应用比较普遍,能够消除伪模,但由于矢量元的构造和求解过程比较烦琐,而用传统的节点有限元方法求解全矢量波动方程时,在得到物理模式的同时,也出现了伪模.本文在传统的罚项节点有限元方法的启发下,从麦克斯韦方程组本身的物理意义出发,导出了伪模的产生源,并对传统的罚项做了改正,大大提高了数值解的质量;尽管没有彻底消除伪模,它相对于矢量元方法优越的地方,体现在解(本征值)的精度,模场的特性,和高的数值稳定性等方面.
关键词:
纤维与波导光学
,
有限元方法
,
罚项
,
伪模
林志浪
,
郑新和
,
王群
,
周美玲
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.034
高纯度的氮气中,以Al-Mg-Y合金为母合金,利用Lanxide技术合成了含烧结助剂Y2O3的复合AlN粉体.通过扫描电镜、X射线衍射、粒径分析及化学成分分析等检测手段对氮化产物进行表征.实验结果表明,合金氮化反应完全,氮化产物疏松易于粉化.粉化后获得的复合AlN粉体具有纯度高,氧杂质含量低,粒度细小等优点.
关键词:
AlN粉体
,
Lanxide技术
,
铝合金
,
烧结助剂