林广庆
,
李鹏
,
王明晖
,
冯翔
,
张俊
,
熊贤风
,
邱龙臻
,
吕国强
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0490
应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管.原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响.在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200～400nm.大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能.表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过10 6,最大场效应迁移率约可达1.23 cm2·V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8 cm2·V-1·s-1.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
二氧化硅表面修饰
,
电性能
冯翔
,
林广庆
,
张俊
,
李曼菲
,
邱龙臻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132803.0338
利用润湿/去润湿的方法配合旋涂工艺制备了图案化的TIPS-并五苯有机半导体薄膜,制备了顶接触有机薄膜晶体管(OTFTs).金相显微镜观察发现,转速的选择对TIPS-并五苯薄膜结晶形貌的影响较大.在1000～2000 r/min转速下制备的薄膜完整性好,结晶区域较大;而转速增加到3000 r/min后,难以获得完整的薄膜且晶粒尺寸变小.电学性能研究得到器件的输出曲线、转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率,发现结晶形貌好的器件具有更好的电学性能.1000 r/min转速下制备OTFT器件最大场效应迁移率为5.16×10-2 cm·V-1,s-1电流开关比为8×103.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
去润湿图案化
,
电性能
