姚振钰
,
贺洪波
,
柴春林
,
刘志凯
,
杨少延
,
张建辉
,
廖梅勇
,
范正修
,
秦复光
,
王占国
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.010
室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜.XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的,XRC测量则表明了ZnO的高质量.在室温下的PL测量中见到了带边发射,其强度与晶体质量有关.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
Si衬底
孙殿照
,
刘宏新
,
王军喜
,
王晓亮
,
刘成海
,
曾一平
,
李晋闽
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.013
介绍了用NH3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料.外延膜都是N面材料.形成的二维电子气是"倒置二维电子气".GaN 单层膜的室温电子迁移率为300cm2/Vs.二维电子气材料的迁移率为680cm2/Vs(RT)和1700cm2/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2×1013cm-2 (RT)和2.6x1013cm-2 (77K ).
关键词:
氮化镓
,
GaN
,
分子束外延
,
二维电子气
,
极化
周剑平
,
柴春林
,
杨少延
,
刘志凯
,
张志成
,
陈诺夫
,
林兰英
功能材料
随着大规模集成电路的发展,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2,介绍了有可能替代SiO2的几种二元材料的研究现状,主要包括Si3N4、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、Gd2O3和CeO2几种材料的结构和电学性能,以及制备薄膜的几种方法:蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积.
关键词:
高-k材料
,
蒸发法
,
CVD
,
IBD
王启元
,
谭利文
,
王俊
,
郁元桓
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.013
异质外延法是目前制备新型 SOI材料的技术途径之一.采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似 SOS薄膜生长的常压 CVD(APCVD)方法在 EOS上外延硅单晶薄膜,形成新型硅基双异质 SOI材料 Si/γ-Al2O3/Si.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及 MOS电学测量等技术表征分析了 Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能.测试结果表明,已成功实现了高质量的新型双异质外延 SOI结构材料Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100),γ-Al2O3与 Si外延薄膜均为单晶,γ-Al2O3薄膜具有良好绝缘性能,SOI结构界面清晰陡峭,该 SOI材料可应用于 CMOS电路的研制.
关键词:
硅
,
Al2O3
,
SOI
,
外延生长
林兰英
,
王占国
,
钱家骏
,
葛惟锟
,
万寿科
,
林汝淦
材料研究学报
直拉硅单晶中新施主(ND)的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出的新施主能级分别为E_(ND)(Ⅰ)=50±5meV,E_(ND)(Ⅱ)=100±10meV(对于P 型单晶)以及E_(ND)(Ⅲ)=25meV(对于N 型单晶)。
关键词:
王引书
,
李晋闽
,
张方方
,
林兰英
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.z1.020
在1050℃下用Si2H6和C2H4在Si(100)衬底上外延生长了3C-SiC,生长前只通入C2H4将Si衬底碳化形成SiC缓冲层.碳化过程中C2H4与Si表面反应形成了SiC孪晶,但随着生长时间的延长,外延层转变为单晶层,其表面呈现典型的单晶SiC的(2×1)再构.从外延层的Raman谱观察到明显的SiC的TO和LO声子模;SEM观测结果表明,外延层的表面比较平整.
关键词:
Si
,
SiC
,
外延生长
,
表面再构
,
Raman光谱
