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氧化锌掺钇透明导电薄膜的制备及光电特性研究

宋淑梅 , 杨田林 , 辛艳青 , 姜丽莉 , 李延辉 , 庞志勇 , 林亮 , 韩圣浩

功能材料

采用射频磁控溅射法,室温下在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的新型透明导电薄膜YZO(ZnO掺杂Y2O3简称YZO).在薄膜厚度为600nm的情况下,研究了薄膜电学特性随溅射功率和溅射气压的变化情况.X射线衍射谱表明YZO薄膜是多晶膜,具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向.最佳溅射条件下制备的薄膜电阻率为8.71×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到92.3%,禁带宽度为3.57eV.

关键词: 透明导电薄膜 , YZO , 射频磁控溅射 , 电阻率 , 透过率

不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

林致远 , 马骏 , 林亮 , 杨成绍 , 邹志翔 , 黄寅虎 , 文锺源 , 王章涛

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163105.0460

本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响.实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7%、降低SS 3%、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果.顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性.

关键词: 高开口率高级超维场转换技术 , 非晶硅 , 薄膜电晶体 , 双栅极

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