吴广宁
,
杨雁
,
钟鑫
,
Shakeel Akram
,
张兴涛
,
吴旭辉
,
朱健
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.09.004
本文分析了脉冲电压作用下变频电机绝缘材料的关键性能。在高频脉冲电压作用下，电机绕组匝间绝缘产生的强烈局部放电，是导致变频电机绝缘破坏的主要原因。空间电荷在介质内部的分布特性，决定了介质的老化状态。热降解过程中，分子链断裂的同时生成离子基团以及气态小分子产物，加速了材料劣化过程。最后，总结了纳米改性聚酰亚胺薄膜的研究进展。
关键词:
变频电机
,
聚酰亚胺
,
局部放电
,
空间电荷
,
纳米改性
杨雁
,
李盛涛
,
李晓
,
吴高林
,
王谦
,
鲍明晖
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12012
研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷深陷阱松弛特性. 测试了CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0.1~107 Hz, 温度为–100~100℃的范围内的介电频谱及温谱. 通过对不同温度下介电频谱的分析, 研究了双Schottky势垒结构中深陷阱松弛特性. 研究表明：在交流小信号作用下, 由于Schottky势垒中深陷阱与Fermi能级的上下关系发生变化, 引起深陷阱电子发射和俘获即电子松弛过程, 在介电频谱中表现为松弛峰; 并且由介电谱的分析结果可得深陷阱能级等微观参数. 比较不同试样的深陷阱参数可知：在CaCu3Ti4O12陶瓷中, 在导带以下约0.52和0.12 eV的能级处存在由本征缺陷产生的深陷阱. 介电温谱与频谱的分析类似, 二者可以互为补充.
关键词:
CaCu3Ti4O12陶瓷; 介电频谱; 松弛特性; Schottky势垒
杨雁
,
李盛涛
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00835
为了降低CaCu3Ti4O12陶瓷的介电损耗, 保持高介电常数, 采用共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷. 研究了前驱粉料的热分解过程、煅烧后粉料的物相结构、陶瓷的显微结构和介电性能, 并考察了Ca、Cu混合溶液pH值对CaCu3Ti4O12陶瓷性能的影响. 结果表明: 当Ca、Cu混合溶液pH值为5.1时, 制备的CaCu3Ti4O12陶瓷介电损耗最低, 而且能保持高介电常数. 在室温下, 频率为1kHz时, 介电常数为1.4×104, 介电损耗为0.037. 通过对陶瓷性能对比, 发现共沉淀反应中各元素的沉淀比例, 陶瓷的微观结构和介电性能均受该pH值的影响. 因此, Ca、Cu混合溶液的pH值对降低CaCu3Ti4O12陶瓷介电损耗、保持高介电常数影响很大.
关键词:
CaCu3Ti4O12陶瓷
,
coprecipitation
,
pH value
,
dielectric loss
杨雁
,
李盛涛
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00835
为了降低CaCu3Ti4O12陶瓷的介电损耗,保持高介电常数,采用共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷.研究了前驱粉料的热分解过程、煅烧后粉料的物相结构、陶瓷的显微结构和介电性能,并考察了Ca、Cu混合溶液pH值对CaCu3Ti4O12陶瓷性能的影响.结果表明:当Ca、Cu混合溶液pH值为5.1时,制备的CaCu3Ti4O12陶瓷介电损耗最低,而且能保持高介电常数.在室温下,频率为1kHz时,介电常数为1.4×104,介电损耗为0.037.通过对陶瓷性能对比,发现共沉淀反应中各元素的沉淀比例,陶瓷的微观结构和介电性能均受该pH值的影响.因此,Ca、Cu混合溶液的pH值对降低CaCu3Ti4O12陶瓷介电损耗、保持高介电常数影响很大.
关键词:
CaCu3Ti4O12陶瓷
,
共沉淀
,
pH值
,
介电损耗
杨雁
,
李盛涛
,
李晓
,
吴高林
,
王谦
,
鲍明晖
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12012
研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷深陷阱松弛特性.测试了CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0.1～107 Hz,温度为-100～100℃的范围内的介电频谱及温谱.通过对不同温度下介电频谱的分析,研究了双Schottky势垒结构中深陷阱松弛特性.研究表明:在交流小信号作用下,由于Schottky势垒中深陷阱与Fermi能级的上下关系发生变化,引起深陷阱电子发射和俘获即电子松弛过程,在介电频谱中表现为松弛峰;并且由介电谱的分析结果可得深陷阱能级等微观参数.比较不同试样的深陷阱参数可知:在CaCu3Ti4O12陶瓷中,在导带以下约0.52和0.12 eV的能级处存在由本征缺陷产生的深陷阱.介电温谱与频谱的分析类似,二者可以互为补充.
关键词:
CaCu3Ti4O12陶瓷
,
介电频谱
,
松弛特性
,
Schottky势垒
张兴涛
,
吴广宁
,
杨雁
,
钟鑫
,
吴旭辉
,
朱健
绝缘材料
doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.08.003
聚酰亚胺(Polyimide,PI)因其具有良好的热稳定性和优异的耐电晕特性广泛应用于变频电机中,添加纳米粒子可以有效提高PI薄膜的绝缘性能.为了系统的研究PI纳米复合薄膜的耐电晕机理,利用原位聚合法制备了纯PI膜和纳米Al2O3掺杂的PI膜,测试两种薄膜的表面电导率、体积电导率、热失重(TGA)以及高频方波脉冲下的耐电晕时间,并用SEM观测两种薄膜击穿后的表面形貌.结果表明:添加纳米粒子使PI薄膜的电导率、热分解温度和耐电晕时间增加;电晕放电的侵蚀使得两种薄膜表面都出现微孔和沟壑,PI/Al2O3薄膜表面析出纳米粒子;在电晕侵蚀过程中,纳米PI薄膜强的表面电荷扩散能力和高的热稳定性,加上析出的纳米粒子对电子和光子的屏蔽阻挡作用,是PI薄膜耐电晕性能增强的主要原因.
关键词:
聚酰亚胺
,
PI/Al2O3薄膜
,
电导率
,
热失重
,
耐电晕机理
