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InP量子点的掺杂及其光学性能

杨锁龙 , 王晓方 , 蒋春丽 , 赵雅文 , 曾荣光 , 王怀胜 , 赖新春

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160212

采用原位成核掺杂法合成了Li、Zn金属离子掺杂的InP量子点(分别记为Li∶ InP和Zn∶ InP),并研究了掺杂剂对量子点的结构、尺寸和光学性能的影响.研究结果表明,Li+、Zn2+掺杂的InP量子点结晶度较高且尺寸均匀.虽然Li+掺杂未引起InP量子点的结构发生变化,Li+未进入InP晶格,但是抑制了InP量子点的成核与长大,使其吸收谱和荧光谱均发生大幅度的蓝移.Zn掺杂同样也抑制InP量子点的成核与长大,并且形成InP/Zn3P2/ZnO复合核壳结构,显著增强了InP量子点的荧光,尤其是当Zn掺杂浓度(Zn/In原子比)为0.2时,InP量子点的荧光强度增加近100多倍,这对短波长InP量子点的合成具有一定的参考价值.

关键词: 磷化铟 , 量子点 , 掺杂 , 光学性能

U-Ta合金中Ta含量的EDXRF法测定

杨锁龙 , 余春荣 , 杨光文 , 高戈 , 吴伦强

稀有金属材料与工程

介绍了用能量色散X射线荧光光谱(EDXRF)法测定U-Ta合金中Ta含量的分析方法.该方法将样品溶解,加载于滤纸片上,制成滤纸试样片,用X射线荧光光谱仪测定试样片中Ta含量.该方法简便、快速、准确,适用于Ta含量在1%~6%范围的U-Ta合金样品的Ta含量测定.对Ta含量为1.5%的样品,测量结果的相对标准偏差(n=6)不大于0.6%; Ta含量为5%的样品,测量结果的相对标准偏差(n=6)不大于0.3%.

关键词: U-Ta合金 , X射线荧光光谱分析 , Ta含量

氮流量对贫铀表面磁控溅射CrNx薄膜结构与性能的影响

朱生发 , 吴艳萍 , 刘天伟 , 杨锁龙 , 唐凯 , 魏强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00603

金属铀的化学性质十分活泼, 极易发生氧化腐蚀. 为改善基体的抗腐蚀性能, 采用非平衡磁控溅射技术在金属铀表面制备了不同氮含量的CrNx薄膜. 采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射技术(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、动电位极化曲线, 分别研究了薄膜形貌、物相结构、表面元素化学价态及抗腐蚀性能. 结果表明, 当氮流量为10 sccm时薄膜主要为体心立方的α-Cr, 随氮流量的增大, 薄膜转化为六方Cr2N和立方CrN结构, 其择优取向由Cr(110)转化为Cr2N(111)及CrN(200), 金属态Cr的含量逐渐减少, 氮化态Cr的含量增多, Cr2p3/2的结合能峰位逐渐向高结合能方向移动. CrNx薄膜呈纤维状结构, 当氮流量增大到30 sccm时, 生成了Cr2N的密排结构, 有效改善了薄膜的致密性. 在金属铀表面制备CrNx薄膜后, 自然腐蚀电位增大, 腐蚀电流密度降低, 当氮流量增大到30 sccm时, 薄膜的自然腐蚀电位提高了近550 mV左右, 腐蚀电流密度降低约两个数量级, 有效改善了贫铀表面的抗腐蚀性能.

关键词: 贫铀; 非平衡磁控溅射; CrNx薄膜; 氮流量; 腐蚀性能

氮流量对贫铀表面磁控溅射CrNx薄膜结构与性能的影响

朱生发 , 吴艳萍 , 刘天伟 , 杨锁龙 , 唐凯 , 魏强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00603

金属铀的化学性质十分活泼,极易发生氧化腐蚀.为改善基体的抗腐蚀性能,采用非平衡磁控溅射技术在金属铀表面制备了不同氮含量的CrNx薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射技术(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、动电位极化曲线,分别研究了薄膜形貌、物相结构、表面元素化学价态及抗腐蚀性能.结果表明,当氮流量为10 sccm时薄膜主要为体心立方的α-Cr,随氮流量的增大,薄膜转化为六方Cr2N和立方CrN结构,其择优取向由Cr(110)转化为Cr2N(111)及CrN(200),金属态Cr的含量逐渐减少,氮化态Cr的含量增多,Cr2p3/2的结合能峰位逐渐向高结合能方向移动.CrNx薄膜呈纤维状结构,当氮流量增大到30 sccm时,生成了Cr2N的密排结构,有效改善了薄膜的致密性.在金属铀表面制备CrNx薄膜后,自然腐蚀电位增大,腐蚀电流密度降低,当氮流量增大到30 sccm时,薄膜的自然腐蚀电位提高了近550mV左右,腐蚀电流密度降低约两个数量级,有效改善了贫铀表面的抗腐蚀性能.

关键词: 贫铀 , 非平衡磁控溅射 , CrNx薄膜 , 氮流量 , 腐蚀性能

Ce3+掺杂Li2O-MgO-Al2O3-SiO2玻璃的结构与荧光猝灭现象

陈艳平 , 罗德礼 , 徐钦英 , 杨锁龙 , 唐涛 , 王小英

无机材料学报 doi:10.15541/jim20130662

采用熔融淬冷法制备了不同浓度 Ce3+离子掺杂的20Li2O-5MgO-20Al2O3-55SiO2玻璃闪烁材料。采用 X 射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术、密度检测等方法研究了玻璃的微观结构随 Ce3+离子掺杂浓度的变化规律,采用荧光分光技术检测了玻璃的紫外光致激发光谱(PLE)、发射光谱(PE)。研究结果表明:在不对称的晶体场作用下, Ce3+离子5d能级被劈裂为5个组分;随着玻璃基质内Ce3+离子掺杂浓度增大,玻璃的非晶化程度加深;5d能级的劈裂宽度随之增大,由此导致激发带向低能量端展宽、发射光谱明显红移; Ce3+离子的荧光发射强度随Ce3+离子掺杂浓度先升高、后降低,浓度猝灭过程成为其荧光发射效率降低的主要原因。

关键词: Ce3+掺杂浓度 , Li2O-MgO-Al2O3-SiO2玻璃 , 5d能级劈裂 , 浓度猝灭

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