郝晓涛
,
张德恒
,
马瑾
,
杨莺歌
,
王卿璞
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程传福
,
田茂华
,
马洪磊
功能材料
回顾和评述了柔性衬底氧化物透明导电膜(包括锡掺杂的三氧化二ITO薄膜、铝掺杂的氧化锌AZO薄膜等)的研究进展情况.报道了在柔性衬底上制备的ITO膜、ZnO膜的光电性质对衬底种类、制备工艺以及制备参数的依赖关系,给出了在此领域内应进一步进行的工作.
关键词:
柔性衬底
,
氧化物半导体
,
透明导电膜
马洪磊
,
杨莺歌
,
刘晓梅
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刘建强
,
马瑾
功能材料
由于GaN薄膜有希望应用在紫外或蓝光发光器件、探测器以及高速场效应晶体管、高温电子器件,GaN材料是当前研究的一个焦点.本文简要介绍了GaN薄膜的制备、衬底选择、掺杂、缓冲层、发光机制和表征等方面的最新进展,指出GaN材料进一步发展需要解决的关键技术问题.
关键词:
GaN薄膜
,
研究进展
,
发光机制
马洪磊
,
杨莺歌
,
薛成山
,
马瑾
,
肖洪地
,
刘建强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.001
提出一种通过对溅射Ga2O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法,已成功地制备出 GaN 纳米线、纳米棒和纳米带.该方法既不需要催化剂,也不需要模板限制,不仅避免了杂质污染,而且简化了纳米结构的制造工艺,对于纳米结构的应用非常有利.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAD)研究了 GaN 纳米结构的形貌和晶格结构.结果表明 GaN 纳米结构是具有六角纤锌矿结构的 GaN 晶体,不存在 Ga2O3 或 Ga 的其他相.研究结果证明在高温氮化过程中由于晶格缺陷的降低和晶化的改进能够得到高质量的 GaN 晶体.简要地讨论了GaN 纳米结构的生长机制.
关键词:
GaN
,
纳米结构
,
制备
,
后氮化技术
郝晓涛
,
马瑾
,
马洪磊
,
杨莺歌
,
王卿璞
,
黄树来
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.03.003
铝掺杂的氧化锌(ZnO∶Al)透明导电膜是采用射频磁控溅射法在有机衬底(Polypro-pylene adipate, PPA)和Corning 7059玻璃上制备的.详细研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO∶Al薄膜具有(002)面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,性能优良的薄膜电阻率在两种衬底上分别为2.55×10-3Ω·cm和1.89×10-3Ω·cm,平均透射率达到了80%和85%.
关键词:
ZnO∶Al透明导电膜
,
薄膜厚度
,
柔性衬底
