吴波
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杨秀德
,
张颂
,
覃礼钊
材料导报
基于密度泛函理论的第一性原理研究了四元Heusler合金Co2MnGe1-xGar和Co2FeGe1-xGax的晶体结构、半金属稳定性和磁性,发现随着掺入Ga比例x的改变,其晶格常数遵循Vigard原理.对于Co2 MnGal-x Gex系列的合金,其原胞磁矩很好地符合SP(Slater-Pauling)值和实验值；而对于Co2 MnGe1-xGax系列合金,其原胞磁矩虽然与实验值一致,但却随x的减小而逐渐偏离SP值.态密度显示,Co2 MnGe1-xGax系列合金在x=0～0.75的掺杂比例内都有0.4～0.6eV的自旋向下带带隙宽度,而Co2 FeGe1-xGax虽然在费米面附近也存在较高的自旋极化,但几乎不存在显著的自旋向下带带隙.此外,四元合金Co2 MnGe0.75 Ga0.25的费米面居于最小自旋带隙的中部,将具有较好的半金属稳定性.
关键词:
Heusler合金
,
半金属稳定性
,
费米面
,
态密度
周庭艳
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黄海深
,
吴波
,
杨秀德
,
李平
,
冯雨
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.023
采用密度泛函理论研究了空位和反位缺陷效应对四元Heusler合金CoFeTiSb电子结构的影响.结果表明,VdCo、VdFe空位缺陷和Tisb反位缺陷具有负的形成能,能保持85％以上的自旋极化率,在CoFeTiSb合金工业制备过程中自发形成几率较大;VdTi、VdSo空位缺陷和FeCo反位缺陷虽然费米面处自旋极化率为100％,仍保持半金属性,但正的形成能表明在制备过程中它们出现的几率较小.此外,SbCo、SbFe、SbTi、CoTi、FeTi反位缺陷由于具有较大的形成能和半金属性破坏,自旋极化率不同程度降低.
关键词:
Heusler合金
,
空位缺陷
,
反位缺陷
吴波
,
杨秀德
,
张颂
材料导报
首先致力于介绍Co基Heusler合金的结构特征、磁性来源以及独特的半金属能带结构,以揭示这些合金独特的电磁性质和在磁隧道结中的应用潜力.在此基础上,进一步讨论了sp元素掺杂对调整Heusler合金电子结构和稳定其半金属性的重要意义.最后,通过分析Co基Heusler合金磁隧道结的电子输运原理,描述了Co基Heusler合金磁隧道结的研究现状和发展方向.
关键词:
Co基Heusler合金
,
半金属性
,
磁隧道结
,
态密度
吴波
,
杨秀德
,
张颂
材料导报
基于密度泛函理论计算了2个贵金属(Ag、Au、Cu)纳米团簇组成的团簇对的静电极化率和吸收光谱,结果表明这2个团簇之间存在强烈的静电耦合效应,其贡献主要来自于外加弱电场下团簇之间的电荷迁移和电子云的扭曲.随着团簇对间距的不断增大,静电极化率先增大后减小,存在一个极化率最大的最佳位置.在团簇对的吸收谱中,随着团簇对间距的增加,高能峰的位置和强度基本保持不变,而低能峰则不断蓝移且峰值先增大后减小,最终消失于高能峰的位置.进一步计算团簇-吡嗪和团簇-吡嗪-团簇体系的静电极化率和吸收光谱,结果发现团簇连接有机小分子后部分电子将从有机小分子向团簇迁移,使整个体系具有较大的固有极矩,在外加弱电场下,团簇与有机小分子之间的电荷迁移能力显著增强.
关键词:
极化率
,
吸收光谱
,
密度泛函理论
,
耦合效应
