邓荣斌
,
王茺
,
陈寒娴
,
杨瑞东
,
秦芳
,
肖军
,
杨宇
功能材料
对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响.分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变.获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数.
关键词:
退火
,
微晶硅薄膜
,
钽
,
太阳能电池
杨瑞东
,
陈寒娴
,
邓荣斌
,
孔令德
,
陶东平
,
王茺
,
杨宇
功能材料
采用磁控溅射设备,当衬底温度为500℃时,在Si(100)基片上磁控溅射生长Ge/Si多层膜样品.使用Raman,AFM和低角X射线技术对样品进行检测和研究,结果表明通过控制Ge埋层的厚度,可以调制Ge膜的结晶及晶粒尺寸,获得晶粒平均尺寸和空间分布较均匀的多晶Ge/Si多层膜.
关键词:
Ge/Si纳米多层膜
,
埋层
,
纳米晶粒
宋超
,
杨瑞东
,
冯林永
,
陈寒娴
,
邓荣斌
,
王国宁
,
杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术在不同Ar+能量下溅射Ge单层膜.用Raman光谱和AFM图谱对薄膜进行表征,得到Ge薄膜结晶性和晶粒大小随Ar+能量变化的波动性关系.在0.6keV的Ar+能量下,得到晶粒较小的Ge晶化薄膜,0.8keV能量下,Ge薄膜为非晶结构,1.0keV能量下,得到晶粒较大的Ge晶化薄膜.通过对沉积原子数与沉积原子能量的分析,解释了这一波动性变化.
关键词:
离子束溅射
,
Ge薄膜
,
Ar+能量
,
结晶性
杨杰
,
王茺
,
欧阳焜
,
杨瑞东
,
刘芳
,
杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术并按正交试验方案生长了不同厚度以及在不同条件下退火的Ge纳米薄膜,用AFM图谱对薄膜的表面形貌进行了表征.结果表明厚度为2.8nm的Ge膜在600℃下退火10min,出现了高4nm、直径50nm左右的Ge岛,而10nm厚的Ge膜在720℃下退火120min,岛的数量较多且分布比较均匀.通过离子束溅射机理和沉积原子之间的扩散运动,对这些现象进行了较为合理的解释.
关键词:
离子束溅射
,
Ge纳米薄膜
,
表面形貌
,
退火
黄建国
,
杨瑞东
,
崔春龙
,
杨剑
,
侯兰杰
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2012.05.004
库尔尕斯金铜多金属矿床是在西昆仑库科西力克一带5万区调中发现最有价值的矿(床)点之一,该矿床赋存于岩体(S-Dδo)边缘接触带变质岩地层(O-S)中.该矿床矿种较多,伴生元素丰富,综合利用价值高,成矿地质条件好,找矿潜力巨大.通过对该矿床矿石、含矿岩系及围岩化学成分、微量元素、REE等特征系统地研究,初步认为金矿化与黄铁矿化、碳酸盐化等围岩蚀变关系密切,载金矿物主要为黄铁矿,赋矿岩石——角岩的形成和成矿具有一致性,小型构造对矿化富集作用明显.多金属矿成矿可能存在前后3个阶段:第一阶段以高温磁铁矿和铜矿形成为主；第二阶段为中温金矿的形成；第三阶段是低温铅锌矿的形成.
关键词:
库尔尕斯金铜多金属矿床
,
地质特征
,
地球化学特征
,
新疆
,
西昆仑
王全彪
,
杨瑞东
,
王茺
,
杨宇
材料导报
建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高,并满足函数关系T=T0+bln(F+c).
关键词:
Si薄膜生长
,
动力学蒙特卡罗
,
岛密度
,
成岛温度
刘芳
,
王茺
,
杨瑞东
,
李亮
,
熊飞
,
杨宇
材料导报
采用基于密度泛函理论的平面渡超软赝势方法和广义梯度近似,计算了掺杂Ge前后单晶Si中Si-Ge键的布居值、键长以及能带结构和态密度.计算结果表明,Ge掺杂后体系晶格常数发生变化,Ge-Si键变长,布居值及带隙宽度减小.还进一步研究了掺杂Ge后的光学性质,掺杂后静态介电常数值与纯Si相比有所增大,且吸收带宽变窄、吸收带边明显红移,并对这些掺杂诱导的材料物性变化进行了解释.
关键词:
第一性原理
,
SiGe
,
电子结构
,
光学性质
宋超
,
杨瑞东
,
冯林永
,
杨宇
材料导报
采用离子束溅射技术,在低生长束流(4～10 mA)范围内,对低温(25～300 ℃)Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出:在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长.
关键词:
Si薄膜
,
离子束溅射
,
束流
,
低温
陈立桥
,
周少白
,
杨瑞东
,
杨宇
材料导报
以Si(100)2×1为基底,对不同入射角度、基底温度及入射能量时生长锗薄膜进行了分子动力学模拟.运用双体分布函数与原子直观构型及原子轨迹法对结果进行了分析讨论.模拟表明,以上3种因素对薄膜微结构都有一定影响,但基底温度的影响最重要;重构基底的二聚体键打开对实现锗外延生长很重要,而二聚体键断开过程主要发生在下一层锗入射阶段,因而下一层锗入射阶段是上一层锗外延晶化的关键阶段.
关键词:
硅锗
,
分子动力学
,
薄膜生长
郑禄林
,
高军波
,
郑禄璟
,
田亚江
,
杨瑞东
黄金
doi:10.11792/hj20140404
随着分析技术的飞速发展，从而使地质学研究逐渐由定性描述向数据定量评价转化。但多数地质分析测试技术对某些含量很低或比较特殊的样品分析时仍存在不足或不能满足研究目的；然而，激光剥蚀电感耦合等离子体质谱（ LA-ICP-MS）微区分析技术可以实时、快速、高灵敏度、高分辨率及多元素同时测定，并可提供同位素比值信息而使上述问题得以解决。近年来，LA-ICP-MS分析技术在金矿中的应用，对准确厘定金矿床的成矿时代，探讨成矿物质来源、了解矿床的成矿机制及正确认识矿床的成因等方面具有重要意义。
关键词:
LA-ICP-MS
,
微区分析
,
金矿床
,
成矿时代
,
应用
