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基于自组装单分子层技术的单晶硅表面化学镀镍工艺优化

胡睿 , 熊晓玲 , 王关全 , 魏洪源 , 张华明 , 杨玉青

材料保护

传统的化学镀镍前处理会对单晶硅造成严重影响,进而影响两者的结合.以单因素条件设计并结合4因素3水平正交试验,对单晶硅表面进行改性活化处理,优选出化学镀镍的处理条件为:羟基化处理15 h,偶联处理48 h,再在化学镀液中于90℃下施镀1 h,在此条件下对单晶硅化学镀镍可以获得的沉积速度高达6.137mg/(cm2·h),且镀层与硅片结合牢固,颗粒品质优良.

关键词: 化学镀镍 , 自组装单分子层技术 , 单晶硅 , 正交试验

小体积化学镀镍工艺

胡睿 , 张华明 , 熊晓玲 , 王关全 , 杨玉青 , 刘国平

电镀与涂饰

以尺寸不规则的Y1Cr18Ni9不锈钢片为基底,研究了在约2 mL镀液的条件下,化学镀镍工艺中主盐与还原剂浓度之比、pH、反应时间及反应温度对镀层沉积速率的影响.结果表明:当c(Ni2+):c(H2PO2-)=0.75:1,pH为6,温度为77℃,反应2 h的条件下,镀层沉积速率快,含镍量高于72%,且颗粒分布均匀、密实.

关键词: 不锈钢 , 化学镀镍 , 酸度 , 沉积速率

多孔硅中金属钯的电沉积与表征

邓建 , 胡睿 , 张会 , 张照云 , 杨玉青

电镀与涂饰

采用电沉积法对自制大深径比盲孔(直径7.7~7.8 μm,深度78 μm)多孔硅进行金属钯填充.镀液组成和工艺条件为:PdCl2 8.8 g/L,KCl 15.0 g/L,NH3·H2O 50 mL/L,乙醇和水各50%(体积分数),pH 8~9,电压15V,电流1.5 mA,惰性气体搅拌,时间17h.采用扫描电镜和能谱仪分析了钯在多孔硅中的填充情况.结果表明,金属钯在多孔硅盲孔中实现了满载填充,并在孔的外表面也有沉积.本工艺镀液组成简单,为制备三维硅基氚电池提供了技术基础.

关键词: 多孔硅 , 盲孔 , , 电镀

低浓度硝酸镍间接化学镀镍工艺的研究

胡睿 , 杨玉青 , 王关全 , 熊晓玲 , 张华明

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.02.020

在传统化学镀镍工艺中,硝酸镍不是直接施镀的主盐,但在一些特殊使用需求的情况下只能使用硝酸镍作原料.研究了以硝酸镍为原料,通过不同的沉淀剂,采用离心-沉淀-再溶解法以及灼烧法将硝酸镍转化成硫酸镍,将硝酸根去除后间接实现化学镀镍.研究结果表明:采用草酸工艺可以得到镍离子转化率高、硝酸根除去效果好的硫酸镍溶液,采用该溶液配制的化学镀镍液制备出的镀层具有均匀、致密,粒径1~2μm,双面沉积量大于5mg/cm2,含镍量72%以上等特征.

关键词: 化学镀镍 , 硝酸镍 , 镀层

利用偶联技术制备核电池用镍膜的工艺初探

胡睿 , 魏洪源 , 熊晓玲 , 张华明 , 王关全 , 杨玉青

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.04.019

曲面换能单元的核电池中镍-63的加载难以用常规源片加载法实现.采用偶联技术,对功能高分子膜的表面用偶联剂改性后进行活化处理,初步制备了镀有非放镍的高分子薄膜,并分析了此工艺的反应机理.采用该工艺可避免常规化学镀镍方法中试剂对半导体材料的损伤.

关键词: 核电池 , , 加载

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