李果
,
蒲明华
,
孙瑞萍
,
王文涛
,
张欣
,
武伟
,
雷鸣
,
张红
,
杨烨
,
程翠华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层.结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹.比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1 μm×1μm的范围内仅为2 nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层.
关键词:
CeO2缓冲层
,
高分子辅助
,
化学溶液沉积
王庆阳
,
闫果
,
刘国庆
,
李金山
,
张平祥
,
卢亚峰
,
杨烨
,
蒲明华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
以无定形碳粉末作为掺杂物质,通过固相烧结的方法,在750℃,高纯氩气保护下,热处理2 h制备了MgB2-xCx(x=0,0.05,0.10,0.20,0.30)超导块材.用X射线衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM)和物性测试仪(PPMS)对样品的微观结构和超导电性进行了系统分析.结果显示,在750℃热处理条件下,有部分碳进入MgB2的晶格中,其余碳处于MgB2的晶界处.少量碳掺杂可以有效细化MgB2晶粒,并改善MgB2的超导电性.MgB1.9C0.1块材的临界电流密度(Jc)在20 K,3 T条件下达到8×104A/cm2,表明无定形碳掺杂可有效提高MgB2的磁通钉扎.
关键词:
MgB2超导块材
,
无定形碳粉
,
掺杂
,
显微结构
刘国庆
,
熊晓梅
,
王庆阳
,
闫果
,
刘春芳
,
卢亚锋
,
杨烨
,
蒲明华
,
赵勇
稀有金属材料与工程
采用固态反应法制备了纯MgB2和C掺杂MgB2超导体.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和物性测试仪(PPMS)研究了纯MgB2超导块材和C掺杂的MgB2超导块材的水解行为对微观结构和超导电性的影响.结果表明,纯MgB2和C掺杂的MgB2超导体与水之间存在明显的化学反应.C掺杂部分进入MgB2的晶格中,其余部分以第二相粒子形式存在于晶界处,使得首先发生于晶界的水解反应受到抑制,从而提高了MgB2超导体的水解稳定性,减缓了水解反应速度.
关键词:
MgB2超导体
,
C掺杂
,
水解
秦公平
,
赵立峰
,
杨烨
,
羊新盛
,
蒋婧
,
白雪
,
秦黎
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
本文研究了YBCO块材排布方式与其在永磁导轨上悬浮力的关系.实验结果表明:悬浮力与随悬浮间距成指数关系.而YBCO块材在导轨上方排列方式的不同,导致沿轨道横截面方向,每块超导块获得的悬浮力平均值差异较大.当超导块集中分布于轨道上方磁场强度最大的区域时,超导块平均悬浮力最大.这意味着,与其他排布方式相比,在获得同等悬浮力情况下,这种排布方法的超导块用量最少.这一结果对于超导磁悬浮系统的设计具有指导意义.
关键词:
超导磁悬浮
,
悬浮系统
,
悬浮力与排布方式
孙瑞萍
,
李果
,
蒲明华
,
王文涛
,
张欣
,
武伟
,
杨烨
,
赵勇
稀有金属材料与工程
采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160 nm的Eu0.3Ce0.701.85-x(ECO)单一缓冲层.制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹.同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度.在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜,超导零电阻转变温度Tc0=86K,临界电流密度达到Jc(O T,77 K)=0.4 MA/cm2.本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法.
关键词:
Eu掺杂
,
CeO2单一缓冲层
,
高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)
李仪成
,
杨烨
,
王雅真
,
王磊
,
孙辉辉
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
本文采用化学溶液法制备了在不同热处理条件下葡萄糖掺杂的MgB2块材样品.并对样品的晶体结构及超导电性进行了系统分析.X射线衍射结果表明掺杂样品a轴方向上的晶格参数减小,说明MgB2晶格中部分硼原子被葡萄糖分解后的活性碳原子所替代.此外,在两种不同烧结温度下,5 wt%C6H12O6掺杂量对Tc都有较小的抑制,但不可逆场和高场下的载流能力得到了提高.在10K,5T下,掺杂样品的临界电流密度可达104 A/cm2,比纯样Jc值大2～3倍,这表明掺杂样品的磁通钉扎性能得到了有效改善.
关键词:
MgB2
,
临界电流密度
,
热处理温度
,
磁通钉扎
何伟
,
羊新胜
,
阚香
,
张元发
,
杨立芹
,
杨烨
,
赵勇
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.02.017
利用共沉淀法制备了纳米多晶La2/3Sr1/3MnO3粉体,并研究了相应烧结陶瓷的相结构、显微形貌、电性质以及磁电阻效应.样品中存在高密的晶界,对电子的疏运过程产生明显的散射作用,从而使得样品具有较大的电阻值,并且只有当烧结温度大于800℃时才出现金属绝缘体温度相变.样品的磁电阻是低场磁电阻效应,源于晶界处电子的自旋极化隧穿.烧结温度越低的样品,其磁电阻越大.
关键词:
低场磁电阻
,
共沉淀
,
纳米
陈永亮
,
崔雅静
,
杨烨
,
王磊
,
李仪成
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
通过在SmFeAsO中Fe位上掺入5d过渡金属Ir,得到了一种新的铁基超导体SmFe_(1-x)Ir_xAsO,当x=0.05时,样品表现出超导电性,超导转变温度为8K,当x=0. 15时,超导转变温度达到最大值17. 3K X射线衍射结果表明所有样品均属四方ZrCuSiAs-type结构,SEM结果表明SmFe_(1-x)Ir_xAsO样品具有片层状形貌特征,随着Ir掺杂量的增大,晶格参数a增大而c减小,结合EDX数据,表明Ir掺人了SmFeAsO晶格当中.
关键词:
铁基超导体
,
ZrCuSiAs结构
王雅真
,
杨烨
,
李仪成
,
王磊
,
孙辉辉
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
本文介绍了预处理柠檬酸(C6H8O7)掺杂对MgB2超导体的影响.通过该实验我们将柠檬酸中的一部分氧元素除去,降低了样品中MgO的含量,从而有效减轻了杂质相对超导转变温度(Tc)的抑制.另外,还发现样品的临界电流密度(Jc)在处理温度为200℃时达到最优值.在10K,4T条件下,200℃预处理的样品的Jc达到1.4×104A/cm2,相对纯样的临界电流密度0.8×104A/cm2,提高了75%.
关键词:
MgB2
,
预处理温度
,
临界电流密度
杨烨
,
周杰佛
,
崔雅静
,
张勇
,
赵勇
低温物理学报
本文研究了在MgBq超导体中Al,C及两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度,不可逆场和临界电流的影响.研究发现,少量的铝掺杂可以提高MgB2超导材料在低场下的临界电流密度,但由于对Tc的抑制而降低其在高场下的载流能力,而碳掺杂则可以有效提高MgB2超导材料的上临界场和不可逆场,从而达到改善其在高场下的载流能力的目的.研究发现,在0-7T外磁场范围内,1%铝和1%碳共同掺杂的样品表现出最佳的载流性能.钉扎力曲线的分析也应证了这一结果.
关键词:
MgB2
,
二硼化镁
,
磁通钉扎
