席丽丽
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邱雨婷
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史讯
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杨炯
,
陈立东
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杨继辉
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张文清
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.01.04
通过第一性原理与热力学结合的方法，研究了 Ga，In 等掺杂的 CoSb3基方钴矿化合物中的复杂缺陷问题。详细计算了 Ga，In 在 CoSb3中填充，Co，Sb 位置替换以及填充－替换同时共存等缺陷的形成能。研究结果表明，缺陷形成能与费米能级、化学势等相关。Ga，In 等在方钴矿中不是单纯的填充，而是填充和 Sb 位置替换同时共存的复杂缺陷。Ga掺杂以填充－替换比例2∶1的缺陷为主，而 In 掺杂，根据不同的条件可形成填充，替换，以及不同比例的填充替换复合缺陷，其中尤其以4∶2和2∶1最多。根据巨正则系宗，研究了 Ga，In 掺杂系统的载流子浓度和各缺陷的浓度。发现 Ga，In掺杂的方钴矿由于填充和替换电荷的自补偿效应，其载流子浓度较低，尤其是 Ga 填充，具有类似本征半导体的低载流子浓度，且得到实验证实。In 掺杂系统由于填充替换的比例偏离2∶1，填充位置的 In 比 Ga 的稍高一些，因此具有比 Ga 掺杂更高的载流子浓度。
关键词:
方钴矿
,
第一性原理
,
热电材料
,
复杂缺陷结构
向长淑
,
杨炯
,
朱勇
,
潘裕柏
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00101
采用溶胶-凝胶法合成了碳纳米管/石英复合粉体, 复合粉体经热压烧结获得致密的复合材料. 在8.2～2.4GHz波段测试了该复合材料的复介电常数, 发现复介电常数随着碳纳米管含量的增加而大幅度提高, 大的介电常数虚部说明该复合材料具有很大的介电损耗. 采用传输线理论计算了该复合材料对电磁波的反射损耗, 发现复合材料在此波段对电磁波具有吸收效果, 并且反射损耗
与复合材料的厚度、碳纳米管体积含量具有密切的关系. 本文还采用了层状设计的方法提高了复合材料的吸波性能.
关键词:
碳纳米管
,
composites
,
electromagnetic wave absorption properties
,
design
向长淑
,
杨炯
,
朱勇
,
潘裕柏
,
郭景坤
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.021
采用溶胶-凝胶法合成了碳纳米管/石英复合粉体,复合粉体经热压烧结获得致密的复合材料.在8.2～12.4 GHz波段测试了该复合材料的复介电常数,发现复介电常数随着碳纳米管含量的增加而大幅度提高,大的介电常数虚部说明该复合材料具有很大的介电损耗.采用传输线理论计算了该复合材料对电磁波的反射损耗,发现复合材料在此波段对电磁波具有吸收效果,并且反射损耗与复合材料的厚度、碳纳米管体积含量具有密切的关系.本文还采用了层状设计的方法提高了复合材料的吸波性能.
关键词:
碳纳米管
,
复合材料
,
电磁波吸收
,
设计
