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大尺寸硅酸铋晶体的原料合成、晶体生长及闪烁性能研究

徐家跃 , 王杰 , 陈炜 , 肖学峰 , 杨波波 , 王占勇 , 李飞 , 谢会东

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160061

以Si(OC2H5)4和Bi(NO3)3·5H2O作为前驱体、柠檬酸作为溶剂,按化学计量比配料,采用溶胶-凝胶法合成并经高温烧结制备了纯相Bi4Si3O12多晶粉末,每批次可合成250 9.以此为原料、〈001〉取向BSO为籽晶,在坩埚下降炉内生长了BSO晶体,讨论了晶体的析晶行为,获得了30 mm× 30 mm×210 mm的高质量BSO晶体.闪烁性能测试表明,该晶体能量分辨率为18.9%,光输出为同等条件下CSI(T1)晶体的7.2%.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 硅酸铋晶体 , 坩埚下降法 , 晶体生长 , 闪烁性能

Dy3+掺杂Bi4Si3O12晶体生长及其热释光特性

汪美玲 , 徐家跃 , 张彦 , 储耀卿 , 杨波波 , 申慧 , 田甜

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160221

采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1 mol%、0.2mol%、0.3mol%、2mol%、3mo1%和4mol%的Bi4Si3O12(BSO)晶体.发现高浓度(2mol%以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为,晶体表面析出物完全消失,顶部呈现光滑结晶面;低浓度(低于0.3mol%)掺杂能够显著提高晶体的光输出,最高可达纯BSO的145%.晶体热释光谱测试结果表明:少量Dy3+掺杂虽然热释光峰略有增强,但有利于晶体光产额的提高;高浓度掺杂则容易引起晶格畸变,甚至产生新的缺陷,降低晶体的光产额.

关键词: 硅酸铋 , 晶体生长 , Dy3+掺杂 , 热释光 , 光产额

Bi4Si3O12-Bi4Ge3O12赝二元系统析晶行为及其晶体生长

杨波波 , 徐家跃 , 申慧 , 张彦 , 陆宝亮 , 江国健

人工晶体学报

本文采用固相合成方法制备了Bi4(GexSi1-x)3O12 (BGSO)固溶体(x=0~0.4),研究了它的固溶特性和析晶行为.实验结果表明,不同组成混合料在900℃左右固相反应能生成BGSO纯相;XRD分析显示,在x=0~0.4区间内,Bi4Si3O12和Bi4Ge3O12可以完全互溶,其晶格常数随x的增加呈线性增长.采用坩埚下降法生长了x=0.15组成的BGSO混晶,获得了透明晶体,并测试了晶体的光学性能.

关键词: Bi4Si3O12 , Bi4Ge3O12 , 析晶行为 , 坩埚下降法 , 晶体生长

烧结温度对硼硅基质荧光玻璃发光性能影响

李杨 , 胡丽丽 , 杨波波 , 石明明 , 邹军

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160374

采用共烧结法制备了硼硅基质Ce:YAG荧光玻璃,研究了烧结温度在600℃~900℃范围内,Ce:YAG荧光玻璃的发光强度变化和色坐标漂移规律.结果表明,随着烧结温度的升高,Ce:YAG荧光玻璃发光强度先增强后减弱,700℃烧结时,荧光玻璃获得最大发光强度;超过850℃烧结时,荧光玻璃无发光性能;同时,色坐标(x,y)发生漂移,且比相同烧结温度的荧光粉漂移幅度大.通过X射线粉末衍射仪、差示扫描量热分析仪和X射线光电子能谱分析仪测试分析表明:随着烧结温度升高,荧光粉中的Ce3+被玻璃基质氧化成Ce4+,玻璃液体腐蚀破坏了荧光粉YAG晶体结构,降低了荧光玻璃的发光强度,从而导致色坐标劣化漂移.

关键词: Ce:YAG荧光玻璃 , 发光强度 , 色坐标漂移 , 烧结温度

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