王曦
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杨根庆
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柳襄怀
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郑志宏
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黄巍
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周祖尧
,
邹世昌
金属学报
本文提出一个合成TiN硬质薄膜的新方法,在氮气氛中,电子束蒸发沉积Ti的同时,用40keV的氙离子束对其进行轰击而合成TiN薄膜,该方法优于PVD和CVD之处在于合成温度低,薄膜与基体结合力强,其临界载荷达4.2kg,Knoop硬度达2200kg/mm~2,具有良好的耐磨损性能,报道了所合成的TiN薄膜在工业上应用的一些结果。
关键词:
TiN薄膜
,
ion beam enhanced deposition
李华旺
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刘海涛
,
杨根庆
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.01.013
本文介绍了一种基于内存故障注入和总线故障注入相结合的单粒子事件故障注入系统.首先介绍了故障注入系统的功能及框架,然后以通用性和可扩展性为前提,对实现故障注入器的关键技术进行了探讨.测试结果表明,利用本文介绍的故障注入系统,具有成本低、通用性强、故障注入方便快捷、全动态实时和定量注入等特点.
关键词:
单粒子事件
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故障注入
,
双端口RAM
,
测试
,
容错