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用射频磁控溅射法制备的Zn1-xMgxO薄膜光致发光特性

许小亮 , 王燎原 , 王烨 , 杨智超 , 施朝淑

功能材料

用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上生长了一组Zn1-xMgxO(x=0～0.16)薄膜.并在不同温度下退火.对薄膜的光致发光研究表明,在薄膜的发射谱的紫外区域有分别对应自由激子(以及相应的声子伴线)和电子-空穴等离子体的发光机制,其中后者有5倍超线性的受激发射,其受激发射阈值与薄膜的退火温度相关,样品中最低受激阈值为40kW/cm2.

关键词: ZnMgO , 光致发光 , 受激发射阈值