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多孔氮化硅高温氧化特性分析

何凤梅 , 陈聪慧 , 杨景兴 , 黄娜 , 王晓叶

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2014.01.021

采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4个不同温度点的静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1 400℃.结果表明:多孔氮化硅在0.1 MPa静态空气气氛下,800℃之前,氧化反应非常微弱,800℃以上可见明显的氧化反应,1 000℃以上氧化反应加剧,增重速率加快,并优先发生在表面与外部孔壁处,之后再发生在样品的内部孔隙处,氧化反应受界面处的化学动力学控制,以被动氧化为主,主要生成物是SiO2,属吸热反应.当生成的SiO2将氮化硅表面和孔壁处覆盖时,在其界面处,随着温度的进一步升高或时间的延长,会生成Si2N2O,且需要注意防范样品可能出现脆性断裂情况.此外,同等温度下,动态氧化气氛将加速氮化硅的氧化,特别是多孔和粉末状样品.

关键词: 氮化硅 , 多孔 , 氧化特性 , 高温 , 陶瓷材料

SiO2气凝胶热参数测试及评价

杨景兴 , 何凤梅 , 于帆 , 胡子君 , 李俊宁

宇航材料工艺

利用非稳态阶跃平面热源法对SiO2气凝胶的热参数进行了高温实验研究,获得了不同温度和压力条件下SiO2气凝胶的热导率、热扩散率以及比热容等.结果表明,SiO2气凝胶800℃的热导率比室温增大约62%.在相同气压且低于600℃时,其热导率受比热容影响,而在高于600℃时,则受热扩散率影响;在相同温度且高于10 kPa时,热导率亦受热扩散率影响.

关键词: 非稳态平面热源法 , 热导率 , 热物理性能 , SiO2气凝胶

高Q腔法与准光腔法用于毫米波段室温介电性能测试比对研究

陈聪慧 , 何凤梅 , 李恩 , 杨景兴

宇航材料工艺

介绍了用于毫米波段的介电性能测试的高Q腔法和准光腔法的原理及物理模型,并分别对其进行了仿真分析,建立了相应的测试装置,进行了空腔和石英玻璃的测试.结果表明,准光腔法要比高Q腔法在品质因数、可分辨的频点、样品尺寸、测试精度等方面更有优势.

关键词: 高Q腔法 , 准光腔法 , 毫米波段 , 介电性能

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