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金刚石基压电薄膜研究进展

杨晓朋 , 宋平新 , 王新昌 , 姚宁 , 张兵临

材料导报

移动通信技术的迅猛发展扩大了高频声表面波(sAw)器件的应用范围,金刚石因具有最高的声表面波传播速度而使得压电薄膜/金刚石多层结构成为高频声表面波器件的首选材料.综述了ZnO/diamond、A1N/diamond和LiNbO3/diamond多层结构声表面波特性理论研究及实验研究进展,并展望了其今后的发展趋势.

关键词: 压电薄膜 , 金刚石 , 声表面波

高压PLD法生长p型钠掺杂氧化锌纳米线阵列

邱智文 , 杨晓朋 , 韩军 , 曾雪松 , 李新化 , 曹丙强

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13284

采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO∶Na)生长的影响,并制备了ZnO∶A1薄膜/ZnO∶Na纳米线阵列同质pn结器件.实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,可在单晶Si衬底上生长c轴取向性良好的ZnO纳米线阵列.X射线衍射和X射线光电子能谱综合分析证实了Na元素成功掺入ZnO纳米线晶格中.在低温(15 K)光致发光谱中,观测到了一系列由Na掺杂ZnO产生引起的受主光谱指纹特征,如中性受主束缚激子峰(3.356 eV,A0X)、导带电子到受主峰(3.312 eV,(e,A0))和施主受主对发光峰(3.233 eV,DAP)等.通过在ZnO∶Al薄膜上生长ZnO∶Na纳米线阵列形成同质结,测得I-V曲线具有明显的整流特性,证实了ZnO∶Na纳米线具有良好的p型导电性能.

关键词: 钠掺杂 , 氧化锌纳米线 , 高压脉冲激光沉积(HP-PLD)

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