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半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布

徐岳生 , 杨新荣 , 郭华锋 , 唐蕾 , 刘彩池 , 王海云 , 魏欣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.026

通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析.其结果表明: 碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系.高密度位错区位错形成胞状结构,该结构的胞壁区碳含量高,近胞壁区次之,剥光区碳含量低于检测限.

关键词: SI-GaAs , 位错 , 碳含量 , 能谱分析

电流环支承的超导球表面磁场计算

王海飞 , 杨新荣 , 赵尚武 , 王秋良

低温物理学报

本文基于磁荷模型采用解析方法推证出电流环在超导球表面产生的磁场分布.首先不考虑超导球的抗磁性,由Biot-Savart定律计算出电流环在球面产生的磁场.再根据Meissner态超导体的边界条件,并基于磁荷模型计算出超导球的感应磁场.将电流环产生磁场与超导球的感应磁场叠加得到超导球表面的合磁场.

关键词: 电流环 , 超导球 , 磁荷 , 磁场计算

在交变外磁场作用下处于迈斯纳态的超导体内的电磁场和能量变化

赵尚武 , 王海飞 , 杨新荣 , 王秋良

低温物理学报

本文以一个无限大的超导平板为例,分析它在正弦外磁场作用下处于Meissner态时的电磁场以及能量变化的特征,计算结果表明在准静态外磁场作用下超导体内的磁场、电场以及感应电流都随着透入表面的深度迅速衰减而没有滞后现象.根据超导电流和穿透深度的定义以及London方程,分析了超导体内超导电流与感应电场乘积的物理意义.我们计算并分析了流入超导体的电磁能与内部的磁场能、电场能、超导电子动能之间的转化关系,结果表明这四种能量之间的转化是完全可逆的,超导体内不存在任何损耗.

关键词: 伦敦方程 , 电磁特征 , 能量损耗 , 迈斯纳态

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