岑伟富
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杨吟野
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范梦慧
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杨文帮
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姚娟
材料科学与工艺
doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20150322
为了研究（001）应变对正交相Ca2P0．25Si0．75能带结构及光学性质的影响，采用第一性原理贋势平面波方法对（001）应变下正交相Ca2P0．25Si0．75的能带结构及光学性质进行了模拟计算．计算结果表明：晶格（001）面发生100％～116％张应变时，带隙随着应变增加而减小；在晶格发生88％～100％压应变时，带隙随着张应变的增加而增加；84％～88％压应变时，带隙随着压应变的增加而减小．当施加应变后光学性质发生显著的变化：随着压应变的增加，静态介电常数、折射率逐渐减小，张应变则增大．施加压应变反射向高能方向偏移，施加张应变反射向低能方向偏移，但施加应变对反射区域的影响不显著．施压应变吸收谱、光电导率的变化与介电函数和折射率相反．综上所述，（001）应变改变了Ca2P0．25Si0．75的电子结构和光学常数，是调节Ca2P0．25Si0．75光电传输性能的有效手段．
关键词:
应变
,
能带结构
,
光学性质
,
第一性原理
,
Ca2P0.25Si0.75
