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半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展

巩锋 , 臧竞存 , 杨敏飞

材料导报

ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述.

关键词: ZnO晶体 , 直接宽带隙材料 , 半导体材料