彭进
,
胡冰
,
胡承勇
,
卞松保
,
杨富华
,
郑厚植
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.008
利用GaAs量子阱中Γ谷束缚态与AlAs层中Χ谷束缚态在异质结界面处的共振Γ-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K空间与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极化.这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反方向扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实.如果将我们的器件用作光存储单元,预期可以获得很长的存储时间Ts.同时,由于Γ-X混合隧穿速率很快,光子"读出"仍可以保持很快.
关键词:
异质结
,
Γ-X混合
,
C-V特性
李越强
,
刘雯
,
王晓东
,
陈燕凌
,
杨富华
,
曾一平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.015
研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线.在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的I-V特性,证明了量子点通过类似纳米悬浮栅的作用,对邻近沟道的二维电子气施加影响.在低温下观察到器件漏电流出现负微分电导现象.这一现象可由2DEG和量子点之间的共振隧穿来解释.这些结果提供了一种新的操作传统场效应晶体管的方法,并有望制成新型量子点存储器.
关键词:
InAs量子点
,
场效应晶体管
,
悬浮栅
,
负微分电导
邓凌霄
,
王晓东
,
刘杨
,
张明亮
,
杨富华
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.21.004
热电器件由于结构简单、可靠性好、无污染等优点,在微电子、能源等领域具有广泛的应用。探索具有高热电优值(ZT)的新材料是近些年来的研究热点。超晶格材料由于独特的量子限制效应和声子界面散射,ZT值比块体材料大幅度提高。而锑化物二类超晶格与传统超晶格不同,其禁带呈错开状,由此又可以带来热电性能新的变化。阐述了锑化物二类超晶格的能带结构以及能够获得高ZT值的优势,介绍了其热电机理和研究进展,以及当前该类超晶格的制备工艺和测试方法。
关键词:
锑化物
,
二类超晶格
,
热电材料
,
热电优值
刘杨
,
张明亮
,
季安
,
王晓东
,
杨富华
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.03.265
纳机电系统(NMES)由于具有体积小、智能化、可靠性高等优点而被广泛研究.其中纳米线谐振子的本征频率能够达到MHz甚至GHz,可应用于各种高性能的质量传感器、谐振器、滤波器等.但是,要制备形貌规则可控的纳米线谐振子,对加工技术要求很高.目前急需一种工艺简单、重复性好、三维尺度可控的硅纳米线制备方法.本文重点研究了基于浓硼扩散层的可集成硅纳米线谐振子的制备方法.该方法采用电子束光刻定义可控尺度硅纳米线,并利用TMAH腐蚀自停止效应实现谐振子的释放.文中还采用SEM对所制备的纳米线谐振子进行了表征.实验结果表明,基于浓硼扩散层制备的硅纳米线谐振子形貌规则,结构可控可调.该方法能够实现可控制的大面积、高产率、低成本、可集成的硅纳米线谐振子制备.
关键词:
纳机电系统(NMES)
,
硅纳米线
,
自上而下法
,
谐振子
