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近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究

朱兴华 , 杨定宇 , 孙辉 , 魏昭荣 , 李乐中 , 杨维清 , 祖小涛

功能材料

采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸随沉积速率的增大而逐渐减小。同时,沉积速率增大还导致膜压应力变大,晶格常数减小,使(001)晶面衍射峰向大角度方向移动。SEM照片显示样品为(001)晶面堆积而成的片状晶粒结构,晶粒c轴与衬底平行。随着沉积速率的增大,晶粒有序性和膜致密度下降,同时(001)晶面上由于六方中心亚晶粒的出现而导致表面粗糙度大幅增大。样品的PL发光谱显示了本征发射特征,发光锋随沉积速率的增大向长波方向移动,同时峰位展宽,强度减弱。

关键词: 近空间升华法 , PbI2厚膜 , 沉积速率 , 压应力 , 六方中心 , 发光峰

PbI2多晶膜的制备及其晶体结构

朱兴华 , 杨定宇 , 魏昭荣 , 杨维清 , 孙辉 , 李乐中 , 高秀英

人工晶体学报

采用电子束蒸发法制备PbI2多晶膜,研究了制备条件对沉积速率和晶体结构的影响.结果表明,源-衬间距和衬底温度对沉积速率的影响不具单调性,沉积速率随源-衬间距增大、衬底温度升高呈波动起伏.不同条件下制备的PbI2膜均属六方结构,但结晶质量和择优生长晶面存在差异.实验发现,随着膜层厚度增大,样品的结晶质量提高,当膜厚超出某一临界值,其结晶质量出现明显的下降.同时,随着衬底温度升高,PbI2膜的择优生长方向由80 ℃的(110)晶面转变为120 ℃的(001)晶面,且高级次(002)、(003)、(004)晶面的衍射峰逐渐增强,样品的c轴择优取向生长更加明显.综合以上,在电子枪束流25 mA、电压6.5 kV,源-衬间距30 cm、衬底温度160 ℃的条件下,采用电子束蒸发制备的PbI2多晶膜具有最佳的结晶性能.

关键词: PbI2多晶膜 , 沉积速率 , 源-衬间距 , 衬底温度

电子束蒸发制备PbI2膜及其光学性能研究

朱兴华 , 杨定宇 , 魏昭荣 , 孙辉 , 李乐中 , 高秀英 , 杨军

人工晶体学报

采用电子束蒸发法制备PbI2膜,研究不同工艺参数对制备样品光学性质的影响.结果表明,制备样品属于六方相多晶结构,随衬底温度的升高,样品中的I元素含量降低并趋于理想化学配比.随着衬底温度的升高,PbI2膜的光谱透过性能逐渐改善,吸收边沿低能一侧的拖尾逐步消除,源自样品结晶质量的提高.根据紫外-可见透过谱,计算了不同条件下制备样品的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙.结果发现,随衬底温度的升高,制备样品的折射率和光学带隙出现波动变化,但吸收系数单调增大.在相同的衬底温度下,35 cm的源-衬间距下制备的样品具有最大的光吸收系数,归因于该系列样品较高的致密度.

关键词: PbI2膜 , 衬底温度 , 紫外-可见透过谱 , 吸收系数 , 光学带隙

应变对单层碘化铅的能带及光电导率影响的第一性原理研究

郝东 , 朱世富 , 赵北君 , 朱兴华 , 何知宇 , 杨定宇 , 孙辉

人工晶体学报

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势方法,研究了双轴拉应变下碘化铅单层晶体的电子结构和光电导性质.结果显示,其禁带宽度随拉应变增加而略呈线性下降趋势.对应变引起的光电导率的变化进行分析,表明双轴应变能使光电导的峰值略微红移.进一步分析了单层碘化铅晶体的能态密度,解释了单层碘化铅晶体能带结构改变的机制.

关键词: 碘化铅 , 应变 , 禁带宽度 , 光电导率 , 第一性原理

CdS多晶薄膜的制备及性质研究

杨定宇 , 郑家贵 , 朱兴华 , 魏昭荣 , 夏庚培 , 冯良桓

功能材料

分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.对制备样品的表征结果表明:(1)两种方法制备样品都沿(002)晶向择优生长,属于六方相多晶结构,但择优取向度不同;(2)CdS薄膜表面连续而致密,粒径均匀,但两种工艺制备样品的S:Cd原子比有较大差异;(3)CdS薄膜的光能隙在2.39~2.44eV之间,电子束蒸发制备样品光能隙稍小.分析认为,两种方法制备样品的上述差异可能与衬底温度、沉积时间及成膜机制的不同相关.

关键词: CdS多晶薄膜 , 太阳电池 , 近空间升华法 , 电子束蒸发法

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及其微结构特性研究

李旭 , 杨定宇 , 朱兴华 , 孙辉 , 高秀英

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备氧化锌(ZnO)薄膜,研究镀膜层数和退火温度对ZnO薄膜晶体结构、光谱性质及表面形貌的影响.X射线衍射谱测试表明,退火温度为600℃、镀膜层数为10层时制备样品的晶粒尺寸最大,结晶度最好.紫外-可见透过谱发现,样品退火后其透过率曲线变得陡直,光学带隙随退火温度升高而逐渐减小.光致发光谱测试显示,ZnO薄膜的发光谱包含388 nm和394 nm附近的两个主要发光峰,分别对应于本征发射和缺陷发射,其强度随退火温度升高呈现相反的变化.原子力显微照片则显示了随退火温度的升高制备样品表面晶粒的分布趋于均匀而致密.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 氧化锌薄膜 , 微结构 , 旋涂层数 , 退火温度

有机电致发光器件的研究进展

杨定宇 , 蒋孟衡 , 杨军

材料导报

有机电致发光器件(OELD)具有驱动电压低,功耗小,亮度高,响应速度快等优点,由其制作有机发光显示器件已被视为下一代最理想的显示技术.在简要介绍OELD器件结构、发光机理和制备工艺的基础上系统阐述了有机发光材料、OELD显示器件及驱动技术的研究进展,最后展望了该领域目前存在的问题及可能的解决方向.

关键词: 有机电致发光器件 , 器件结构 , 制作工艺 , 有机发光材料 , 驱动技术 , 显示面板

低温多晶硅薄膜的制备评述

杨定宇 , 蒋孟衡 , 杨军

材料科学与工程学报

低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路.然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题.因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本.本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点.接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展.

关键词: 低温多晶硅薄膜 , 金属诱导横向晶化 , 准分子激光晶化 , 电感耦合等离子体化学气相沉积

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