陈旭东
,
杨宏顺
,
柴一晟
,
刘剑
,
钟声
,
孙成海
,
高慧贤
,
薛璟
,
段理
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.005
通过原子力显微镜(AFM)对Nd1.85Ce0.15CuO4±δ(NCCO)单晶样品的微结构进行分析,发现样品在制备和热处理过程中存在分解反应Nd2-xCexCuO4→ (Nd,Ce)2O3+ NdCeO3.5+ Cu2O发生的证据,控制样品冷却速率可得到(Nd,Ce)2O3分解物含量不同的单晶样品. Ab面电阻率测量结果表明,降低冷却速率可有效减少分解过程的发生、减少有效载流子浓度的降低和减少对Cu2O上Cu2+-Cu2+反铁磁关联的破坏,有利于保持体系结构上的均匀性和稳定性,是制备高品质电子型超导体Nd2-xCexCuO4单晶的关键.
关键词:
电子型超导体
,
样品制备
,
电阻率
王建彬
,
杨宏顺
,
陈旭东
,
刘剑
,
孙成海
,
高慧贤
,
成路
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.002
本文通过对Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶ab面(ρab)和c方向电阻率(ρc)的测量,发现未经过氮气退火的样品的ρc与温度成线性依赖关系,但是同一个样品经过氮气退火后的ρc中不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.这说明样品经过氮气退火后,电子与空穴两种载流子共同参与导电.样品在退火处理前的各向异性比(ρc-ρc0)/(ρab-ρab0)存在强的温度依赖关系,这是由于ρc与温度成线性依赖关系,然而ρab不仅有一次方的温度依赖关系还有二次方的.样品经过退火处理后的各向异性比存在弱的温度依赖赖关系,这是由于ρc与ρab中都同时有一次方和二次方的温度依赖关系.我们用电子和空穴沿c方向有不同的隧穿几率来解释ρc和(ρc-ρc0)/(ρab-ρab0).
关键词:
电阻率
,
双载流子
,
隧穿几率
陈祖耀
,
李明德
,
柴一晟
,
余旼
,
杨宏顺
,
王忠兵
,
阮可青
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.005
RuSr2GdCu2O8据报道是转变温度为30～40K的超导体.其合成的主要问题是,在合成过程中有相当多的铁磁性的SrRuO3杂相伴随着主相一起生成.本文报道了合成RuSr2GdCu2O8 (Ru-1212相)纯相的新方法.即在O2和水蒸气气氛中首先合成纯相的Sr2GdRuO6 (Ru-211相)先驱物,然后Sr2GdRuO6与CuO高温烧结,生成RuSr2GdCu2O8.合成的RuSr2GdCu2O8电阻为半导体温度行为.该体系的超导转变与生成的杂相有关.
关键词:
曹烈兆
,
杨宏顺
,
柴一晟
,
李鹏程
,
李志权
,
陈兆甲
,
余旼
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2002.03.006
测量了欠掺杂区域Sm2-xCexCuO4(0.09≤x≤0.15)多晶样品的热电势S和电阻率ρ的温度依赖关系.电阻率ρ在低于200K处斜率发生改变,表明低温下发生载流子弱局域化.热电势S高温下满足线性温度依赖关系,随着温度降低,在200～250K发生斜率改变,可以用赝能隙的开放解释.所有的样品在50K观察到一个曳引峰,表明载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型.
关键词:
李志权
,
杨宏顺
,
任治安
,
余旻
,
柴一晟
,
李鹏程
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.01.006
通过对系列(La1-xSmx)1.85Sr0.15CCuO4(x=0,0.05,0.10,0.15)的多晶样品在4.2K～3300K的电阻率和液氮温区内的热电势的测量,发现(La1-xSmx)1 85Sr0.15Cu4的电阻率在高温区呈现出线性关系,其斜率也随着x的增大而增大,在x=0.10时达到最大,而在Tc到1100K的温区,随着Sm含量的增加,则呈现出由金属行为到类半导体行为的转变,同时超导温度Tc也随着降低.液氮温区内的温差热电势行为反映了随着Sm含量的增加,体系的载流子浓度也随之降低.
关键词:
余勇
,
阮可青
,
黄胜利
,
钱朔
,
柴一晟
,
杨宏顺
,
曹烈兆
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.03.005
研究了Nd2-xSrxNiO4多晶的输运性质.0< x0.5样品低温下的电阻率很好地满足变程跳跃公式,0.8x1.1样品在室温以上呈现金属性行为,随着温度降低出现金属-绝缘体转变,x=1.4样品的金属性从室温开始一直保持到14K. 用变程跳跃机制很好地解释了x=0.33样品的热电势-温度关系曲线.
关键词:
输运性质
,
变程跳跃
,
金属-绝缘体转变
杨宏顺
,
蒋成颍
,
许祥益
,
孙成海
,
柯少秦
,
冷荣军
,
阮可青
低温物理学报
研究了不同元素（Gd，Sin）掺杂和不同掺杂浓度的Nd1．85-xRxCe0．15CuO4±δ（R=Gd，Sm）单晶样品的X射线衍射、傅里叶变换红外光谱和电阻率．X射线衍射结果表明掺杂没有杂质峰，且峰的半高宽度很小，说明两掺杂体系的单晶样品品质很好．两体系晶格常数C均随着掺杂量的增加而降低，其中Gd掺杂体系的降低速率明显大于Srn．对于Gd掺杂，随着掺杂量的增加红外光谱逐渐向高频移动，而Sm掺杂红外光谱峰位几乎保持不变．这表明用Gd取代Nd会使Cu-O键变短，而用Sm取代Nd后Cu-O键键长几乎不变．电阻率的测量结果发现随着掺杂量的增加两体系的超导转变温度Tc均被压制，载流子局域化效应均增强．而对于Gd掺杂，超导转变温度R被更强烈的压制，载流子局域化效应更强，这一现象与两掺杂体系的晶胞体积的变化情况一致，也可能与和费米面上电子态密度随掺杂量的改变有关．
关键词:
电子型高温超导体
,
电子结构
,
红外光谱
杨宏顺
,
孙成海
,
成路
,
王建斌
,
许祥益
,
柯少秦
,
阮可青
低温物理学报
在CuO2平面以外的阳离子格点通过改变Gd含量引入了无序.研究了Nd1.85-xGdxCe0.15CuO4单晶的电阻率D、霍耳系数RH和热电势S.霍耳系数RH的测量证明这种名义掺杂的改变并没有明显改变载流子的密度.热电势S(T)在120 K以上可用一个掺杂的半经验模型来分析,结果表明存在电子的窄能带和宽能带的共存.无论是电子态密度的带宽和有效电导率的带宽都随着x增加,而局域化的趋势随Gd掺杂增加明显增强.Gd掺杂对超导转变温度TC的抑制作用很显著.在二维剩余电阻率ρ02D增加超过临界值h/ 4e2时没有发生超导-绝缘体转变,观察到的却是超导和局域化的共存效应.量子干涉效应不可以定性地解释Gd掺杂对于电子型超导体的超导转变温度Tc的抑制.
关键词:
电子型超导体
,
热电势
,
局域化t
