张晋敏
,
谢泉
,
余平
,
张勇
,
肖清泉
,
杨子义
,
梁艳
,
曾武贤
功能材料
用直流磁控溅射方法分别在室温及不同温度的Si(100)衬底上沉积Fe膜,随后采用脉冲激光扫描进行退火,X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了激光扫描对薄膜结晶性质和表面显微结构的影响.测量结果证实直接形成了Fe-Si化合物系的富硅高温相α-FeSi2,室温沉积样品的结晶性质随激光能量密度的增加而提高;反应沉积样品的结晶性质随衬底温度升高而提高.
关键词:
磁控溅射
,
激光扫描退火
,
结晶性质
,
显微结构
杨子义
,
郝正同
,
谢泉
材料导报
采用磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了Ba单层膜,研究了退火温度对Ba-Si化合物生成的影响.X射线衍射表明,在真空中退火12h后出现了Ba3Si4(202)和Ba3Si4(221)衍射峰,表现出择优取向,700℃是理想的退火温度.采用第一性原理对Ba3Si4的能带结构和态密度进行了计算,结果表明它是一种金属,价带主要是由Si的3s、3p及Ba的5p、6s态电子构成,导带主要由Ba的5d及Si的3p态电子构成.
关键词:
Ba3Si4薄膜
,
电子结构
,
磁控溅射
,
退火
,
择优取向
杨子义
,
郝正同
,
徐虎
材料导报
室温下采用磁控溅射的方法在p-Si(111)衬底上沉积Ba膜,然后置入高真空退火炉中在400～850℃退火12 h生成Ba的硅化物薄膜,对退火后的Ba-Si化合物进行了晶体结构、表面形貌、透射光谱及电学性质的测试分析,研究了退火温度对薄膜结晶的影响.实验结果表明,退火温度对生成Ba-Si化合物及薄膜的表面形貌影响很大,随着退火温度从400℃升高到800℃,薄膜的结晶情况逐渐改善,晶粒随着温度的升高逐渐增大;800℃对于生成多晶的BaSi2薄膜是一个比较理想的退火温度;850℃生成了多相共生的硅化物薄膜.
关键词:
BaSi2薄膜
,
晶体结构
,
表面形貌
,
透射光谱
,
电学性质
