杨君玲
,
陈诺夫
,
刘志凯
,
杨少延
,
柴春林
,
廖梅勇
,
何宏家
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.04.012
利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外延层,另一部分锰离子成功注入到 GaAs 基底里,注入深度约为 160 nm.衬底温度为 523K 时获得了 Ga5.2Mn 相,衬底温度为 673K 时获得了 Ga5.2Mn、Ga5Mn8 和 Mn3Ga 相.在 1113K 条件下对 673K 生长的样品进行退火,退火后样品中原有的 Mn3Ga 消失,Ga5Mn8 峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn 仍然存在而且结晶更好,并出现 Mn2As 新相.
关键词:
(Ga,Mn,As) 化合物 GaAs 单晶 质量分析的低能离子束
