周章渝
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杨发顺
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王松
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杨健
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傅兴华
功能材料
介绍了采用混合物理化学气相法(HPCVD)工艺以乙硼烷(B2H6)为硼源在热蒸发镀膜机内以不同的沉积温度在(0001)取向的Al2O3单晶基底上制备了MgB2超导薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法电阻测量分析了沉积温度对生成的MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响.结果表明,随着基底温度的升高,MgB2相结晶程度提高,c轴取向程度增强,薄膜整体性能显著提高.
关键词:
MgB2超导薄膜
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沉积温度
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混合物理化学气相法(HPCVD)
周章渝
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杨发顺
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杨健
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王松
,
邓朝勇
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傅兴华
材料导报
超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤.报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水( H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀；另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀.通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2.
关键词:
MgB2超导薄膜
,
布图布线
,
湿法刻蚀
周章渝
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王松
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杨发顺
,
杨健
,
傅兴华
低温物理学报
本文介绍了一种薄膜基底与镁源蒸发放置在不同温区的混合物理化学气相法（HPCVD）制备MgB2超导薄膜的技术．以B2Hs为硼源，在（0001）取向的Al2O3单晶基底上在不同的基底温度下制备了MgB．e超导薄膜．采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和标准四线法电阻测量分析了基底沉积温度对生成的MgBe薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度的影响．结果表明，随着基底温度的升高，MgB2相结晶程度提高，C轴取向程度增强、薄膜整体性能显著提高．基底温度为853K时制备的MgBe薄膜的超导电性最为优异：其超导起始转变温度高达39．85K，△T为0．32K．
关键词:
Mg岛超导薄膜
,
SEM
,
XRD
,
基片温度
,
混合物理化学气相法(HPCVD)
